[发明专利]一种半导体晶体生长装置

权利要求书

1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：

炉体；

坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；

提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；

水平磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及

导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体上方，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；

其中，

所述导流筒底部在不同的位置处具有不同的热反射系数，其中在所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数小于垂直于所述水平磁场方向上的所述导流筒底部的热反射系数。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述导流筒底部设置成通过表面处理在不同位置处具有不同热反射系数的材料层。

3.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述导流筒底部包括面积相等的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分，其中，

所述第一部分和所述第三部分在垂直于所述水平磁场的方向上相对设置，所述第二部分和所述第四部分在所述水平磁场的方向上相对设置，所述第一部分和所述三部分的热反射系数大于所述第二部分和所述第四部分的热反射系数。

4.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述导流筒包括调整装置，用以调整所述导流筒底部的热反射系数。

5.根据权利要求4所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述导流筒包括内筒、外筒以及隔热材料，其中，所述外筒的底部延伸至所述内筒底部下方并与所述内筒底部闭合以在所述内筒和所述外筒之间形成空腔，所述隔热材料设置在所述空腔内；其中，

所述调整装置包括插入部件，所述插入部件包括突出部和插入部，所述插入部插入所述外筒底部延伸至所述内筒底部下方的部分与所述内筒底部之间的位置，所述突出部至少部分覆盖所述外筒底部。

6.根据权利要求5所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述突出部部分覆盖所述外筒底部，所述调整装置包括至少两个所述插入部件。

7.根据权利要求6所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述调整装置包括在所述水平磁场方向上相对设置的两个相同的所述插入部件，所述插入部件的突出部的热反射系数较所述外筒底部的热反射系数小；或者，

所述调整装置包括在垂直于所述水平磁场方向上相对设置的两个相同的所述插入部件，所述插入部件的突出部的热反射系数较所述外筒底部的热反射系数大。

8.根据权利要求6所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述调整装置包括第一插入部件、第二插入部件、第三插入部件和第四插入部件，其中，所述第一插入部件、所述第二插入部件、所述第三插入部件和所述第四插入部件具有面积相同的所述突出部，所述第一插入部件和所述第三插入部件在垂直于所述水平磁场的方向上相对设置，所述第二插入部件和所述第四插入部件在所述水平磁场的方向上相对设置，所述第一插入部件和所述三插入部件的热反射系数大于所述第二插入部件和所述第四插入部件的热反射系数。

9.根据权利要求8所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述第一插入部件、所述第二插入部件、所述第三插入部件的所述插入部插入所述外筒底部延伸至所述内筒底部下方的部分与所述内筒底部之间的位置后，所述第一插入部件、所述第二插入部件、所述第三插入部件的所述突出部拼合起来全面覆盖所述外筒底部。

10.根据权利要求5所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述插入部件的突出部设置为环形，以全面覆盖所述外筒的底部。