[发明专利]光学邻近修正模型的校正方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正模型的校正方法，其特征在于，包括：

提供具有待测量图形的原始版图；

确定所述待测量图形的待测量位置；

通过所述原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；

获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸；

执行检测工艺，所述检测工艺的步骤包括：采用光学邻近修正模型对所述原始版图中的图形进行模拟，获得模拟图形；根据所述待测量位置，在所述模拟图形上选定第一待测量区域，并采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及所述第一尺寸的类型，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸；

根据所述第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；

当误差函数值的收敛性满足光学邻近修正的要求时，完成对光学邻近修正模型的校正；当误差函数值的收敛性未满足光学邻近修正的要求时，校正所述光学邻近修正模型，并返回执行所述检测工艺的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述待测量位置对应在所述物理晶圆图形上的关键尺寸作为第一尺寸的步骤包括：根据所述待测量位置，在所述物理晶圆上选定第二待测量区域，并采集所述物理晶圆图形在所述第二待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；

根据所述第二待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据以及关键尺寸类型，获取所述第一尺寸。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸的类型包括关键尺寸的最小值、关键尺寸的最大值或关键尺寸的平均值。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的最小值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，从所述量测数据中提取最小值作为所述第二尺寸；

或者，

所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的最大值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，从所述量测数据中提取最大值作为所述第二尺寸；

或者，

所述第一尺寸的类型为所述物理晶圆图形的关键尺寸的平均值，获取所述待测量位置对应在所述模拟图形上的关键尺寸作为第二尺寸的步骤包括：采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据后，计算所述量测数据的平均值作为所述第二尺寸。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用公式(Ⅰ)作为所述误差函数，

其中，所述w_i为关键尺寸的权重，所述CD_i,w为所述第一尺寸的值，所述CD_i,s为所述第二尺寸的值，N为取样量。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一待测量区域的形状为矩形。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模拟图形沿第一方向的尺寸为所述第二尺寸，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；

所述第一待测量区域沿所述第二方向的宽度至少为1纳米。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一待测量区域沿所述第二方向的宽度为1纳米至100纳米。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采集所述模拟图形在所述第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据的步骤中，所述量测数据的数据量为2个至20个。