[发明专利]一种半导体晶体生长装置有效
| 申请号： | 201910527728.2 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112095154B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民;王刚;邓先亮;黄瀚艺;陈伟德 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 | ||
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：
炉体；
坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；
加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；
提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及
磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，
在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。
2.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述凹槽包括在所述石墨圆筒的侧壁上从上到下开设的多个第一凹槽和从下到上开设的多个第二凹槽，其中，所述第一凹槽与所述第二凹槽间隔设置。
3.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，
所述第一凹槽中，在所述磁场方向上的所述第一凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述第一凹槽的深度；和/或
所述第二凹槽中，在所述磁场方向上的所述第二凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述第二凹槽的深度。
4.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，沿着所述石墨圆筒的圆周方向所述凹槽的深度呈渐进式变化，其中在所述磁场的方向上所述凹槽的深度最小，在垂直于所述磁场的方向上所述凹槽的深度最大。
5.根据权利要求4所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，在所述磁场的方向上所述凹槽的深度为在垂直于所述磁场的方向上所述凹槽的深度的70％。
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