[发明专利]一种制备悬空的层状材料的方法在审

专利信息
申请号: 201910529796.2 申请日: 2019-06-19
公开(公告)号: CN112110443A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 黄元;罗海兰;赵林;周兴江 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C01B32/198 分类号: C01B32/198;C22F1/08;C22C9/00;C21D9/46;H01L39/24
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 郭广迅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制备 悬空 层状 材料 方法
【权利要求书】:

1.一种制备悬空的层状材料的方法,包括如下步骤:

(1)在基底上制备图案化的孔阵列,得到具有孔阵列的基底;

(2)对所述具有孔阵列的基底进行氧等离子体清洗;

(3)用胶带机械解理石墨或铜基超导材料,将胶带上的石墨或铜基超导材料贴附到经过步骤(2)清洗的所述具有孔阵列的基底上,并进行热处理;

(4)热处理完成后,冷却至室温,随即从所述具有孔阵列的基底上剥离胶带,从而在所述具有孔阵列的基底上制得悬空的层状石墨烯或铜基超导材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述氧等离子体清洗是在如下条件下进行的:气流量为20~50sccm,功率为50~100W,清洗时间2-5min。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(1)中在基底上制备图案化的孔阵列是通过光学曝光和离子刻蚀进行的。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述孔阵列的孔直径为2-10μm,孔的中心间距为10-20μm。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基底为SiO2/Si基底、蓝宝石基底、玻璃基底或石英基底。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述铜基超导材料为Bi2212或Bi2201。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述步骤(3)中的热处理采用的温度为80-140℃,时间为10-30s。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910529796.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top