[发明专利]一种磁流变辅助大气等离子体抛光硅基元件方法

权利要求书

1.一种磁流变辅助大气等离子体抛光硅基材料的方法，其特征是该抛光方法包括以下步骤：

步骤一：将待加工工件放置在大气等离子体设备加工平台上，开启大气等离子体，以He为载气，CF₄气体为反应气体，O₂为辅助气体，其中He流量范围：1-5L/min、CF₄流量范围：10-100mL/min、O₂流量范围：5-100mL/min、点火功率40-150W，产生等离子体射流，发生化学反应：SiC+4F*+2O＝SiF₄↑+CO₂↑、Si+4F*＝SiF₄↑、SiO2+4F*+＝SiF₄↑+O₂↑，生成反应物为气体挥发，加工结束后关闭电源和全部气体，检测加工后工件粗糙度rms1和面形pv1，大气等离子体加工后工件表面产生因气体CF₄反应不完全引入的残留物；

步骤二：将大气等离子体加工后的工件移动到磁流变设备工作台上，选用氧化铈或相对比待加工工件软的柔性磨料，抛光轮压深范围：0.2-0.8mm，开启磁流变，使之沿等离子体焰加工轨迹对待加工工件表面进行抛光。

2.根据权利要求1所述的一种磁流变辅助大气等离子体抛光硅基元件方法，其特征在于，所述步骤二具体是在磁流变液容器中加入抛光粉，开启磁流变电磁铁，开启抛光轮，抛光轮转起来后，打开蠕动泵，回收器始回收磁流变液，最后打开离心泵驱动喷嘴向抛光轮上喷入磁流变液，抛光压深为0.4mm，抛光轮沿等离子体焰加工轨迹对光学元件表面进行均匀抛光，去除等离子加工过程中的残留物。

3.根据权利要求1所述的一种磁流变辅助大气等离子体抛光硅基元件方法，其特征在于，所述硅基材料包括碳化硅、熔石英或硅片。