[发明专利]一种提高套刻精度的对准标识设计方法

权利要求书

1.一种提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、前一层光刻层的对准标识放置于第一位置；

步骤二、当层曝光时，将当层的对准标识放置于第二位置，同时将当层与第一位置对应的位置曝开，之后将曝开的所述当层与第一位置对应的位置填充金属；所述曝开指的是悬涂光刻胶后，进行显影之后形成凹槽；

步骤三、第三层曝光时，将第三层的对准标识放回第三层与所述第一位置对应的位置处，同时将第三层与第二位置对应的位置曝开，之后将曝开的所述第三层与第二位置对应的位置填充金属；

步骤四、后续层曝光时的对准标识位置设计依照步骤一至步骤三依次类推。

2.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：步骤二至步骤四在所述当层与第一位置对应的位置和所述第三层与第二位置对应的位置填充的金属为铜。

3.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：步骤二中将当层的对准标识放置于与所述第一位置临近的第二位置。

4.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：所述对准标识的形状为矩形。

5.根据权利要求4所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：所述对准标识在所述第一位置和第二位置的摆放呈相互平行。

6.根据权利要求4所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：所述对准标识在所述第一位置和第二位置的摆放呈相互垂直。

7.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：所述对准标识位于晶圆的切割道中。

8.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：该设计方法用于22nm、20nm、32nm、28nm、45nm、40nm、65nm、55nm、90nm、130nm以及小于或等于16nm的技术节点。

9.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：所述对准标识位于掩膜版上。