[发明专利]垂直存储器件

说明书

提供了一种垂直存储器件，其包括：多个第一栅电极，在衬底的单元区域上堆叠，并在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，延伸穿过所述多个第一栅电极并且在垂直方向上延伸；第一接触插塞结构，与所述多个第一栅电极中的相应的第一栅电极接触，在垂直方向上延伸，并且包括第一金属图案、覆盖第一金属图案的下表面和侧壁的第一阻挡图案以及覆盖第一阻挡图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案；以及第二接触插塞结构，在衬底的外围电路区域上沿垂直方向延伸，并且包括第二金属图案以及覆盖第二金属图案的下表面和侧壁的第二阻挡图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月3日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0090766的优先权，通过引用将其内容全部并入本文。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及垂直存储器件及其制造方法。

背景技术

在制造垂直NAND(VNAND)闪存器件的工艺中，可以形成孔以暴露衬底的单元区域上的栅电极，并且金属图案可以填充孔以形成可以分别连接到多个栅电极的多个接触插塞。然而，当栅电极的厚度小时，孔可能穿透栅电极。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种具有增强的电特性的垂直存储器件及其制造方法。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种垂直存储器件。所述垂直存储器件可以包括：多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在包括单元区域和外围电路区域的衬底的所述单元区域上堆叠，所述多个第一栅电极在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，所述沟道延伸穿过所述多个第一栅电极中的一些第一栅电极并且在所述垂直方向上延伸；第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构与所述多个第一栅电极中的相应的第一栅电极接触并在所述垂直方向上延伸，所述第一接触插塞结构包括第一金属图案、覆盖所述第一金属图案的下表面和侧壁的第一阻挡图案以及覆盖所述第一阻挡图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案；以及第二接触插塞结构，所述第二接触插塞结构在所述衬底的所述外围电路区域上沿所述垂直方向延伸，所述第二接触插塞结构包括第二金属图案以及覆盖所述第二金属图案的下表面和侧壁的第二阻挡图案。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种垂直存储器件。所述垂直存储器件可以包括：多个栅电极，所述多个栅电极堆叠在衬底上，所述多个栅电极在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，所述沟道延伸穿过所述多个栅电极中的一些栅电极并且在所述垂直方向上延伸；第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构与所述多个栅电极中的相应的栅电极接触并在所述垂直方向上延伸，所述第一接触插塞结构包括第一金属图案、覆盖所述第一金属图案的下表面和侧壁的第一金属氮化物图案以及覆盖所述第一金属氮化物图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案。所述第一接触插塞结构的下表面高于所述多个栅电极中的所述相应的栅电极的下表面。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种垂直存储器件。所述垂直存储器件可以包括：电路图案，所述电路图案设置在包括单元区域和外围区域的衬底上；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述电路图案；基础图案，所述基础图案在所述衬底的所述单元区域上设置在所述绝缘中间层上；多个栅电极，所述多个栅电极设置在所述基础图案上，所述多个栅电极在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，所述沟道在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极中的一些栅电极；第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构与所述多个栅电极中的所述相应的栅电极接触并在所述垂直方向上延伸，所述第一接触插塞结构包括第一金属图案、覆盖所述第一金属图案的下表面和侧壁的第一阻挡图案以及覆盖所述第一阻挡图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案；以及第二接触插塞结构，所述第二接触插塞结构设置在所述衬底的所述外围区域上，所述第二接触插塞结构在所述垂直方向上延伸以电连接到所述电路图案，并且所述第二接触插塞结构包括第二金属图案以及覆盖所述第二金属图案的下表面和侧壁的第二阻挡图案。