[发明专利]一种二硫化钼催化膜及其制备和应用

权利要求书

1.一种二硫化钼催化膜，其中，包括基底以及生长在基底上的二硫化钼阵列，所述二硫化钼阵列垂直于基底生长；

所述二硫化钼阵列的基本组成单元为二硫化钼纳米片；

所述二硫化钼纳米片的厚度为5～8nm，二硫化钼纳米片的边缘长度为200～800nm，所述二硫化钼阵列的阵列生长密度为32～45个二硫化钼纳米片/μm²；所述基底选自碳纤维布、泡沫镍和碳纸中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的二硫化钼催化膜，其中，碳纤维布的规格为厚度2～6mm，材质为活性炭过滤网纤维棉，堆积密度70-90kg/m³；泡沫镍规格为厚度1.5～2.5mm，80～120目。

3.根据权利要求1或2所述的二硫化钼催化膜，其中，所述二硫化钼垂直阵列的制备原料包括钼酸盐和硫源；

所述钼酸盐与硫源的质量比为(1-5):(3-10)。

4.根据权利要求3所述的二硫化钼催化膜，其特征在于，所述钼酸盐为钼酸铵、钼酸钠和钼酸钾中的一种或多种；所述硫源选自硫脲，硫代乙酰胺或L-半胱氨酸中的一种或多种。

5.一种权利要求1至4中任一项所述的二硫化钼催化膜的制备方法，其中，包括如下步骤：

(1)将钼酸盐和硫源溶解在去离子水中；

(2)将步骤(1)中得到的溶液转移至水热反应釜中，并加入基底，加热反应；

(3)将步骤(2)中得到的产物洗涤至中性后，干燥，即得二硫化钼垂直阵列。

6.根据权利要求5所述的二硫化钼催化膜的制备方法，其中，步骤(1)所述钼酸盐与去离子水的质量比为(0.1-0.5):(30-50)。

7.根据权利要求5所述的二硫化钼催化膜的制备方法，其中，步骤(2)所述反应温度为150-200℃，所述反应时间为18-24h。

8.根据权利要求5所述的二硫化钼催化膜的制备方法，其中，步骤(3)所述干燥为在60-80℃下真空干燥12-24h。

9.一种权利要求1-4中任一项所述的二硫化钼催化膜在催化过硫酸盐中的应用；

所述过硫酸盐选自过硫酸钾、过硫酸钠、过硫酸氢钾和过硫酸铵中的一种或多种。