[发明专利]一种高集成电池保护控制电路及控制方法在审
申请号: | 201910531019.1 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110086235A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 王磊 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H7/18 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 钟显毅 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池保护控制电路 逻辑控制电路 检测电池 高集成 衬底 减小 欠压 充电器 充电检测电路 电流检测电路 电平转换电路 电压检测电路 负载检测电路 温度检测电路 充放电电流 芯片发热量 周期性打开 保护芯片 电池保护 电池充电 电池短路 电池放电 短路电流 功率损耗 过流保护 技术实现 接收电压 温度信息 接地 振荡器 放电 充电 电池 检测 | ||
1.一种高集成电池保护控制电路,其特征在于,包括用于检测电池连接端VDD电压状态的电压检测电路,用于检测电池充放电电流或电池短路电流的电流检测电路,用于检测电池保护芯片温度的温度检测电路,接收电压、电流和温度信息并输出控制信号的逻辑控制电路,通过开关S1和开关S2的闭合或打开实现电池不同状态保护的功率器件M1,接收控制信号并控制功率器件M1中开关S1和开关S2状态的电平转换电路,以及用于在电池过压或欠压时产生时钟控制功率器件M1开启时间的振荡器,所述功率器件M1上的一端与接地GND端连接、另一端与用于连接充电器或负载的VM端连接,所述VM端和逻辑控制电路之间连接有充电检测电路和负载检测电路,所述振荡器通过延时电路与逻辑控制电路连接,所述电压检测电路和电流检测电路均与GND端连接。
2.根据权利要求1所述的一种高集成电池保护控制电路,其特征在于,所述功率器件M1为可切换衬底的MOS管,所述开关S1和开关S2串联后一端与GND端连接、另一端与VM端连接,所述开关S1和开关S2的连接点、电平转换电路均与M1的栅极连接,所述M1的体二极管的一端与GND端连接、另一端与VM端连接。
3.如权利要求1或2所述的一种高集成电池保护控制电路的控制方法,其特征在于,电池充电过压后对电池放电的保护方法包括如下步骤:
(a1)利用电压检测电路检测电池连接端VDD的电压状态,并利用负载检测电路检测电池的放电状态;
(a2)当充电过压时,即VDD的电压高于过压保护阈值,此时若对电池放电,VM端的电压大于0.7V;
(a3)打开M1,逻辑控制电路输出控制信号至电平转换电路,控制开关S1关闭,开关S2打开,此时M1的体二极管为VM端向GND端方向,通过负载对电池放电,同时,启动振荡器产生的计时时钟timer1,控制M1的打开时间;
(a4)当计时时长达到timer1的时长之后,关闭M1,利用负载检测电路检测VM端的电压值;
(a5)若检测到VM端的电压值大于0.7V,则重复步骤(a3)和步骤(a4),直至VM端的电压值小于0.7V,此时表示已移除负载;
(a6)利用电压检测电路检测电池连接端VDD的电压,若VDD的电压高于过压保护阈值,则电池处于过压保护状态;反之,则重新打开M1,电池恢复到允许充放电的状态。
4.如权利要求1或2所述的一种高集成电池保护控制电路的控制方法,其特征在于,电池放电欠压保护后对电池充电的保护方法包括如下步骤:
(b1)利用电压检测电路检测电池连接端VDD的电压状态,并利用充电检测电路检测电池的充电状态;
(b2)当放电欠压时,即VDD的电压低于欠压保护阈值,此时若对电池充电,VM端的电压小于-0.7V;
(b3)打开M1,逻辑控制电路输出控制信号至电平转换电路,控制开关S1打开,开关S2关闭,此时M1的体二极管为GND端向VM端方向,利用充电器对电池充电,同时,启动振荡器产生的计时时钟timer2,控制M1的打开时间;
(b4)当计时时长达到timer2的时长之后,关闭M1,利用充电检测电路检测VM端的电压值;
(b5)若检测到VM端的电压值小于-0.7V,则重复步骤(b3)和步骤(b4),直至VM端的电压值大于-0.7V,此时表示已移除充电器;
(b6)利用电压检测电路检测电池连接端VDD的电压,若VDD的电压低于欠压保护阈值,则电池处于欠压保护状态;反之,则重新打开M1,电池恢复到允许充放电的状态。
5.如权利要求1或2所述的一种高集成电池保护控制电路的控制方法,其特征在于,对电池保护芯片过温的保护方法包括如下步骤:
(c1)当温度检测电路检测到芯片温度高于过温保护阈值时,逻辑控制电路输出控制信号至电平转换电路,控制开关S1打开,开关S2关闭,此时M1的体二极管为GND端向VM端方向,利用充电检测电路或负载检测电路检测VM端的电压值;
(c2)根据检测到VM端的电压值判定导致过温的原因,再控制开关S1和开关S2的状态,切断充电或放电路径,达到过温保护的目的。
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