[发明专利]一种减小硫化铟半导体光学带隙的方法在审
| 申请号： | 201910531150.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112201710A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 赵春燕;张栋栋;陈平 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 硫化 半导体 光学 方法 | ||
1.一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，通过Sn元素掺杂母体半导体，形成化学分子式为In2-xSnxS3(0.04≤x≤0.2)的半导体，以此减小In2S3半导体禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，所述的母体半导体为In2S3二元硫化物。
3.根据权利要求2所述的一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，通过Sn元素掺杂In2S3二元硫化物中的In位。
4.根据权利要求1所述的一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，通过固相烧结法向母体半导体中掺杂Sn元素。
5.根据权利要求4所述的一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，所述的固相烧结法中采用的原料为In粒、S粉和Sn粉。
6.根据权利要求4所述的一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，所述的固相烧结法为真空固相烧结法，烧结温度为800～900℃。
7.根据权利要求1所述的一种减小In2S3半导体光学吸收带隙的方法，其特征在于，Sn原子掺杂可减小In2S3母体化合物的禁带宽度至1.05eV。
8.一种提高In2S3半导体太阳能吸收能力的方法，其特征在于，通过Sn元素掺In2S3母体半导体，实现太阳能吸收能力的提升。
9.一种In2-xSnxS3(0.04≤x≤0.2)半导体在高效太阳能电池吸收层中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
