[发明专利]一种连接电子学材料与水凝胶基底的方法有效
| 申请号： | 201910531173.9 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110604560B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 段小洁;魏诗媛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | A61B5/24 | 分类号： | A61B5/24;C23C14/35;C25D5/54;C25D9/02;D01F6/18;D01F6/38 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连接 电子学 材料 凝胶 基底 方法 | ||
1.一种连接网格结构电子学元件和多孔基底的方法，包括：
将所述网格结构电子学元件和多孔基底置于EDOT：PSS前驱体溶液中进行电化学原位聚合，聚合完毕即将所述网格结构电子学元件和多孔基底连接；
所述网格结构电子学元件为导电或半导体网格结构电子学元件；
所述多孔基底为水凝胶；
所述EDOT：PSS前驱体溶液由EDOT和0.025M PSS盐及水组成；
所述EDOT的浓度为0.012-0.015M；
所述PSS盐的浓度为0.020-0.030M。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述EDOT的浓度为0.014M；所述PSS盐为PSSNa；所述PSS盐的浓度为0.025M。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述网格结构电子学元件为金网格结构电子学元件。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述电化学原位聚合步骤中，
所用电化学工作站为CHI600e电化学工作站；
所用电极中，对电极为铂丝；参考电极为Ag/AgCl；
工作模式为恒电流；
电流密度为0.25-0.75mA/cm2；
聚合时间为100-1000s。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述电流密度为0.5mA/cm2。
6.根据权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述方法还包括：在所述电化学原位聚合之前，将所述网格结构电子学元件和多孔基底置于EDOT：PSS前驱体溶液中浸泡至充分水合；
在所述电化学原位聚合之后，将所得产物浸泡于缓冲溶液中。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述浸泡步骤中，浸泡时间为1.5-2.5h；
所述缓冲溶液为磷酸缓冲液PBS。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述浸泡步骤中，浸泡时间为2h。
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