[发明专利]一种二维超薄CuBr纳米片的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201910531231.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110373716B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 熊杰;龚传辉;晏超贻;汪洋;饶高峰;黄建文;张淼;邬春阳;戴丽萍;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B29/64;C30B25/02;C23C14/04;C23C14/18;C23C14/24;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 超薄 cubr 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种二维超薄CuBr单晶纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将BiBr3粉末放置于石英管上游第一加热区中心，将覆盖铜箔的基片放置于石英管下游第二加热区中心，其中，所述铜箔与基片的间距为0～100μm；
步骤2：将石英管内部抽真空至0.1Pa以下，通入Ar气使管内气压保持常压环境，然后向管内通入Ar气、或Ar气和H2混合气体；
步骤3：将第二加热区升温至275～325℃，保持10～60min后，再将第一加热区升温至200～275℃，反应3～20min，反应结束后自然冷却至室温，取出基片，即可在基片上制备得到所述的CuBr单晶纳米片。
2.根据权利要求1所述二维超薄CuBr单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤1所述基片为具有范德瓦尔斯力的基片。
3.根据权利要求2所述二维超薄CuBr单晶纳米片的制备方法，其特征在于，所述具有范德瓦尔斯力的基片为云母或石墨烯基底。
4.根据权利要求1所述二维超薄CuBr单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤1所述BiBr3粉末的质量为2～200mg。
5.根据权利要求1所述二维超薄CuBr单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤2所述Ar和H2混合气体中，H2体积占比大于0％并且小于等于10％，混合气体的流速为50～100sccm。
6.根据权利要求1所述二维超薄CuBr单晶纳米片的制备方法，其特征在于，步骤3所述第二加热区的升温速率为10～25℃/min，第一加热区的升温速率为15～30℃/min。
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