[发明专利]存储器系统以及用于访问存储器系统的方法

说明书

本申请提供了一种存储器系统以及用于访问存储器系统的方法，存储器系统包括：第一多个存储器组，每个所述存储器组具有多个存储单元；第二多个本地控制器，每个所述本地控制器耦接在所述第一多个存储器组中的一个或多个存储器组与存储器控制器之间；所述存储器控制器被配置为从第一多个片选CS信号中向所述第二多个本地控制器中的非目标本地控制器提供一个或多个非目标访问CS信号；以及所述存储器控制器还被配置为从所述第一多个CS信号中向所述第二多个本地控制器中的目标本地控制器提供目标访问CS信号。

技术领域

本申请涉及存储器技术，更具体地，涉及一种存储器系统以及用于访问存储器系统的方法。

背景技术

片上端接(On-Die Termination,ODT)技术是一种端接电阻被设置在半导体芯片上的技术，其中端接电阻被用于传输线上的阻抗匹配。ODT可以减小由于信号沿着短截线(stub line)传输所引起的信号反射，这些短截线将存储器控制器与诸如动态随机存取(DRAM)存储器模块的存储卡上的器件相连接，从而减少了引入到这些信号上的不必要的噪声。

随着存储器系统操作频率的不断提高，ODT技术已经被用于诸如DDR5同步DRAM(SDRAM)模块的存储器模块中。例如，ODT端接电阻可以被选择性地耦接到命令/地址(CA)总线和/或数据通信总线，以开启或关闭这些总线的端接，从而提高其信号的完整性。

然而，有必要进一步改进现有存储器系统。

发明内容

本申请的一个目的在于提供一种用于存储器系统的动态ODT机制，用于提高传输数据信号的表现。

在本申请的一个方面，提供了一种存储器系统，包括：第一多个存储器组，每个所述存储器组具有多个存储单元；第二多个本地控制器，每个所述本地控制器耦接在所述第一多个存储器组中的一个或多个存储器组与存储器控制器之间；所述存储器控制器被配置为从第一多个片选CS信号中向所述第二多个本地控制器中的非目标本地控制器提供一个或多个非目标访问CS信号，所述一个或多个非目标访问CS信号禁止对耦接到所述非目标本地控制器的所述第一多个存储器组中的一个或多个非目标存储器组进行目标访问；以及所述存储器控制器还被配置为向所述第二多个本地控制器中的目标本地控制器提供所述第一多个CS信号中的目标访问CS信号，所述目标访问CS信号允许对耦接到所述目标本地控制器的所述第一多个存储器组中的目标存储器组进行目标访问，并且向所述第二多个本地控制器提供命令地址CA信号，所述CA信号用于寻址和访问所述目标存储器组的多个存储单元；以及其中所述非目标本地控制器被配置为响应于接收到所述一个或多个非目标访问CS信号，向所述非目标存储器组提供一个或多个复合片上端接ODT指令，所述一个或多个复合ODT指令指示所述一个或多个非目标存储器组中对应的非目标存储器组为耦接在所述第一多个存储器组和所述存储器控制器之间的数据通信总线选择性地开启非目标DQ/DQS ODT，所述非目标DQ/DQS ODT至少在所述存储器控制器执行对所述目标存储器组的目标访问的一段时间开启；其中每个复合ODT指令包括辅助CS指令和辅助CA指令的组合。

在一些实施例中，每个本地控制器耦接到所述第一多个存储器组中的两个存储器组，并且所述第一多个CS信号中的所有信号均为两个时钟周期宽的信号。

在一些实施例中，所述非目标本地控制器经由对应的CS信号线向所述非目标存储器组提供所述辅助CS指令，并经由对应的CA输出信号线向所述非目标存储器组提供所述辅助CA指令。

在一些实施例中，所述非目标本地控制器还被配置为响应于接收到所述非目标访问CS信号生成非目标CA ODT指令，所述非目标CA ODT指令至少在所述非目标本地控制器从所述存储器控制器接收所述CA信号的一段时间开启在所述非目标本地控制器的CA输入处的非目标CA ODT。