[发明专利]一种调节像素电路的方法

说明书

本发明公开了一种调节像素电路的方法，涉及显示器件技术领域，用以解决现有显示器件残像消除时间过长，无法满足高要求的残像标准的问题。本发明实施例通过在EM发光阶段输入几段使驱动晶体管TFT断开的EM电平信号，TFT能够得到短暂的关闭时间得以恢复自身状态，得到恢复的TFT电路中总的电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此屏幕的发光亮度不变，由于其电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此可以理解为TFT工作电压Vg负向增大，则黑白棋盘格画面切换到灰阶后的初始电流差异减小，使得残像可以减轻。

技术领域

本发明涉及显示器件技术领域，特别涉及一种调节像素电路的方法。

背景技术

随着科技的发展以及消费水平的逐渐提高，人们对于手机屏幕的使用体验的要求也越来越高，主要体现在对于手机屏幕在画面切换时的残像标准要求越来越严格。

目前，OLED发光屏幕是最火热的手机屏幕技术，评价OLED发光屏幕残像水准的方式很多，其中有一种比较严格的评价残像的标准，如图1所示，在比较复杂的棋盘格画面，将屏幕点亮3分钟后，切换到31灰阶画面，目视屏幕中残像消失的时间，通常需要几分钟到十几分钟，残像才能完全消失。

其中，产生上述残像的原因主要包括：如图2所示，棋盘格的黑色部分切换到31灰阶画面时，电流会增大(黑色部分相对于31灰阶画面电流大)，因此黑色区域相对较亮；白色部分切换到31灰阶画面时，电流会减小(白色部分相对于31灰阶画面电流小)，因此白色区域相对较暗，因为不同棋盘格区域的电流差异，导致亮度差异，目视就会看到明显的残像。

现有OLED发光屏幕具有明显的残像，残像消除时间通常在几分钟到几十分钟之间，无法满足高要求的残像标准。

综上所述，现有显示器件残像消除时间过长，无法满足高要求的残像标准。

发明内容

本发明提供一种调节像素电路的方法，用以解决现有显示器件残像消除时间过长，无法满足高要求的残像标准的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供的一种调节像素电路的方法包括：

通过OLED电路控制有机电致发光面板中各像素单元内的有机电致发光单元进行显示，其中，所述OLED电路包括驱动薄膜晶体管开关；每一个所述有机电致发光单元进行显示的每一帧时间内包括EM发光阶段；其中，在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段控制所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号。

上述方法，由于TFT的特性，TFT随着导通时间的增长TFT的导电性能会降低，本发明实施例通过在EM发光阶段输入几段使驱动晶体管TFT断开的EM电平信号，TFT能够得到短暂的关闭时间得以恢复自身状态，得到恢复的TFT电路中总的电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此屏幕的发光亮度不变，由于其电流密度高于TFT一直开启时的电流密度，因此可以理解为TFT工作电压Vg负向增大，则黑白棋盘格画面切换到灰阶后的初始电流差异减小，使得残像可以减轻。

在一种可选的实施方式中，所述在所述EM发光阶段中，向OLED电路输入几段控制所述驱动薄膜晶体管关闭的EM电平信号，包括：

在一帧时间内输入几段使所述驱动薄膜晶体管开关关闭的EM电平信号中，各段EM电平信号的持续时间相等。

在一种可选的实施方式中，在一帧时间内输入的EM电平信号的段数不小于2，且每段EM电平信号之间的间隔相等。

上述方法，插入几段间隔相等，持续时间相等的使所述驱动薄膜晶体管开关关闭的EM电平信号，能够保证屏幕发光亮度更加均匀，避免屏幕出现忽明忽暗的现象。

在一种可选的实施方式中，所述TFT的类型为P型，在OLED电路的EM发光阶段输入EM高电平信号；或

所述TFT的类型为N型，在OLED电路的EM发光阶段输入几段EM低电平信号。