[发明专利]透明阴极结构、有机发光二极管、阵列基板和显示装置

说明书

本公开提供了一种透明阴极结构、有机发光二极管、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。该透明阴极结构包括第一电介质层、透明金属层和第二电介质层；其中，第一电介质层包括相互混合的第一电介质材料和第一掺杂材料；所述第一掺杂材料的功函数低于所述第一电介质材料的功函数；透明金属层设于所述第一电介质层的一表面；第二电介质层设于所述透明金属层远离所述第一电介质层的表面。该透明阴极结构能够提高有机发光二极管的性能。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种透明阴极结构、有机发光二极管、阵列基板和显示装置。

背景技术

电介质-金属-电介质(DMD)结构的透明电极具有制备方便、成本低、电性能优等优点，可以被用作OLED(有机发光二极管)的透明电极。电介质层通常采用高折射率的材料，例如采用三氧化钼或者氧化钨等氧化物；然而，这些电介质材料向OLED注入电子困难，限制了OLED的性能。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种透明阴极结构、有机发光二极管、阵列基板和显示装置，提高有机发光二极管的性能。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种透明阴极结构，包括：

第一电介质层，包括相互混合的第一电介质材料和第一掺杂材料；其中，所述第一掺杂材料的功函数低于所述第一电介质材料的功函数；

透明金属层，设于所述第一电介质层的一表面；

第二电介质层，设于所述透明金属层远离所述第一电介质层的表面。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电介质层的厚度为4～10nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电介质材料为金属氧化物。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属氧化物包括氧化钼或者氧化钨中的至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一掺杂材料包括功函数低于4.0eV的金属。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一掺杂材料包括镁、钙、锶、镱、钡、锂和钕中的至少一种。

在本公开的一种示例性实施例中，在第一电介质层中，所述第一掺杂材料的质量含量为20％～50％。

在本公开的一种示例性实施例中，所述透明金属层的厚度为5～20nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述透明金属层的厚度为6.5～8nm。

在本公开的一种示例性实施例中，所述透明金属层包括相互混合的导电金属和第二掺杂材料，其中，所述第二掺杂材料在所述透明金属层中的质量比为0.5％～1.5％。

在本公开的一种示例性实施例中，所述导电金属包括银；所述第二掺杂材料包括铝、铜和镍中的至少一种。

根据本公开的第二个方面，提供一种有机发光二极管，包括：

上述的透明阴极结构；

有机发光层，设于所述透明阴极结构的第一电介质层远离所述透明金属层的表面；

阳极层，设于所述有机发光层远离所述透明阴极结构的表面。

根据本公开的第三个方面，提供一种阵列基板，包括上述的有机发光二极管。

根据本公开的第四个方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。