[发明专利]三维存储器件及三维存储器件的制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件包括：

衬底；

堆叠层，位于所述衬底上方；

第一刻蚀孔，按照第一密度分布于所述堆叠层的第一区域内；其中，所述第一刻蚀孔，用于形成存储阵列的存储晶体管；所述第一区域包括：第一子区域和第二子区域；

第二刻蚀孔，按照第二密度分布于所述堆叠层的第二区域内；其中，所述第二密度不同于所述第一密度；所述第二区域包括：第三子区域和第四子区域；所述第二子区域与第三子区域相邻；

至少一条刻蚀槽，由所述堆叠层的顶部向所述衬底方向延伸；其中，所述至少一条刻蚀槽在所述第二子区域和所述第三子区域的范围内具有第一宽度；所述至少一条刻蚀槽在所述第一子区域和所述第四子区域内具有第二宽度；所述第一宽度小于所述第二宽度。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述至少一条刻蚀槽，由所述堆叠层顶部向所述衬底方向刻蚀形成；所述至少一条刻蚀槽的长边所在方向平行于从所述第一区域到所述第二区域的延伸方向；

所述至少一条刻蚀槽内填充有导电材料；所述导电材料作为所述存储阵列的各存储晶体管公共的源极。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述堆叠层包括：N个导电层和N个绝缘层；其中，所述导电层和所述绝缘层交替设置，N为不小于2的正整数；

所述N个导电层和N个绝缘层的面积从所述衬底向所述堆叠层表面的方向依次减小；

所述第一区域位于所述堆叠层表面的绝缘层或导电层以下的核心区域；

所述第二区域位于所述核心区域外沿的阶梯区域。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一刻蚀孔贯穿所述堆叠层；所述第一密度大于所述第二密度；

在所述第一刻蚀孔内包括：势垒层、存储层、隧穿层和沟道层；所述势垒层用于阻隔所述堆叠层与所述存储层；所述存储层用于从所述沟道层获取电荷；所述隧穿层用于阻隔所述存储层和所述沟道层；所述沟道层用于提供电荷；其中，当所述堆叠层提供获取电荷的电压时，所述沟道层中的电荷击穿所述隧穿层，向所述存储层提供电荷。

5.根据权利要求4所述的三维存储器件，其特征在于，所述第二刻蚀孔内填充有导电材料；所述第二刻蚀孔，用于连接所述堆叠层中的所述导电层与所述三维存储器的导线。

6.一种三维存储器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在半导体衬底上形成堆叠层；

在所述堆叠层的第一区域内，形成第一密度的第一刻蚀孔，其中，所述第一刻蚀孔，用于形成存储阵列的存储晶体管，其中，所述第一区域包括：第一子区域和第二子区域；

在所述堆叠层的第二区域内，形成第二密度的第二刻蚀孔，其中，所述第二密度不同于所述第一密度；其中，所述第二区域包括：第三子区域和第四子区域；所述第二子区域与第三子区域相邻；

在所述堆叠层的顶部向衬底方向形成至少一条刻蚀槽；其中，所述至少一条刻蚀槽在所述第二子区域和所述第三子区域的范围内具有第一宽度；所述至少一条刻蚀槽在所述第一子区域和所述第四子区域内具有第二宽度；所述第一宽度小于所述第二宽度。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述至少一条刻蚀槽由所述堆叠层顶部向所述衬底方向刻蚀形成；所述至少一条刻蚀槽的长边所在方向平行于从所述第一区域到所述第二区域的延伸方向，所述方法还包括：

在所述至少一条刻蚀槽中填充导电材料，形成所述存储阵列的各存储晶体管的公共的源极。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述堆叠层包括：N个导电层和N个绝缘层；其中，所述导电层和所述绝缘层交替设置，N为不小于2的正整数；

所述N个导电层和N个绝缘层的面积从所述衬底向所述堆叠层表面的方向依次减小；

所述第一区域位于所述堆叠层表面的绝缘层或导电层所在的核心区域；

所述第二区域位于所述核心区域外沿的阶梯区域。