[发明专利]一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测方法及传感器

权利要求书

1.一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)制备MWCNTs分散液：将MWCNTs置于N-N二甲基甲酰胺溶液中，经超声后制得MWCNTs分散液，所述MWCNTs分散液中MWCNTs的浓度为0.5～2.0mg/mL；

(2)制备电聚合底液：将4,6-二氨基间苯二酚和L-谷氨酸用pH4.0～5.5的PBS缓冲液溶解，并配制成4,6-二氨基间苯二酚和L-谷氨酸的混合液体，即电聚合底液，所述电聚合底液中4,6-二氨基间苯二酚和L-谷氨酸的摩尔浓度比为(2～6):1，所述电聚合底液中PBS缓冲液的浓度为0.01～0.20mol/L；

(3)制备分子印迹聚合膜修饰电极：对玻碳电极表面进行抛光，超声洗净后晾干，将MWCNTs分散液滴涂至玻碳电极表面，晾干后得到MWCNTs/GCE，将MWCNTs/GCE置于电聚合底液中，采用循环伏安法在-0.2～2.0V范围内扫描20～30圈后将电极置于甲酸/乙腈溶液中洗脱10～20min得到分子印迹聚合膜修饰电极MIP/MWCNTs/GCE；所述甲酸/乙腈溶液中甲酸与乙腈的体积比为(0.5～4):1；

(4)以分子印迹聚合膜修饰电极MIP/MWCNTs/GCE为工作电极，以银/氯化银电极作为参比电极，以铂丝电极作为对电极，构成三电极体系；然后采用循环伏安法和交流阻抗法考察L-谷氨酸在不同修饰电极上的电化学行为，并采用示差脉冲伏安法对不同浓度的L-谷氨酸进行测试，绘制工作标准曲线，再采用标准加入法对待测样品中的L-谷氨酸进行检测。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中对玻碳电极表面进行抛光是分别用0.3μm和0.05μm的氧化铝粉对玻碳电极表面进行抛光。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述玻碳电极直径为3mm，将5μLMWCNTs分散液滴涂至玻碳电极表面，晾干后得到MWCNTs/GCE，将MWCNTs/GCE置于10mL电聚合底液中。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(4)中是在2.0mmol/L[Fe(CN)]^4-/3--0.20mol/L Na₂SO₄溶液中采用循环伏安和交流阻抗法考察L-谷氨酸在不同修饰电极上的电化学行为；在由PBS缓冲溶液配制的铁氰化钾溶液中，采用示差脉冲伏安法对不同浓度的L-谷氨酸进行测试，绘制工作标准曲线，再采用标准加入法对待测样品中的L-谷氨酸进行检测；所述检测用PBS缓冲溶液的浓度为0.01～0.20mol/L，所述检测用PBS缓冲溶液的pH为pH3.7～4.4，所述检测用铁氰化钾溶液的浓度为1.0～10.0mmol/L。

5.一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测传感器，其特征在于，所述传感器包括作为工作电极的分子印迹聚合膜修饰电极；所述分子印迹聚合膜修饰电极包括玻碳基质(5)，所述玻碳基质(5)表面修饰有MWCNTs膜层(6)，所述MWCNTs膜层(6)上负载有MIPs膜层(7)，所述MIPs膜层(7)上存在L-Glu分子三维结构空腔(9)。

6.如权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述传感器包括玻碳基质(5)的厚度为1.0～5.0mm，所述酸化MWCNTs膜层(6)的厚度为20～200nm，所述MIPs膜层(7)的厚度为10～100nm，所述L-Glu分子三维结构空腔(9)直径为1～10nm。

7.如权利要求5或6所述的传感器，其特征在于，所述传感器对L-谷氨酸的浓度存在良好的线性关系，检测的线性范围为1.00×10^-8～1.00×10^-5mol/L，检出限为5.13×10^-9mol/L。