[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201910531975.X | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110265518B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张三硕;郭雨澈;金景海;郑廷桓;白龙贤 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，所述发光器件包含：
n型半导体层；
p型半导体层；
有源层，其设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；
电子阻挡层，其设置在所述p型半导体层与所述有源层之间；以及
超晶格层，设置在所述n型半导体层与所述有源层之间，
其中：
所述p型半导体层包括空穴注入层、p型接触层和设置在所述空穴注入层与所述p型接触层之间的空穴传输层，
所述空穴传输层包括具有彼此不同的掺杂剂浓度的未掺杂层和中间掺杂层，
所述未掺杂层包括在其中空穴浓度随着与所述空穴注入层或者所述p型接触层的距离的增加而降低的区域以及在其中所述空穴浓度随着与所述中间掺杂层的距离的减小而增加的区域，
所述空穴注入层具有比所述未掺杂层高的掺杂剂浓度，并且所述p型接触层具有比所述空穴注入层高的掺杂剂浓度，以及
所述空穴传输层具有比所述空穴注入层和所述p型接触层的总厚度大的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴注入层具有1E20/cm3至5E20/cm3的掺杂剂浓度，所述p型接触层具有4E20/cm3或者更高的掺杂剂浓度，并且所述中间掺杂层具有1E18/cm3至1E20/cm3的掺杂剂浓度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述中间掺杂层具有10nm至20nm的厚度，并且所述未掺杂层具有15nm至30nm的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴注入层邻接所述电子阻挡层。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴浓度随着与所述空穴注入层或者所述p型接触层的距离的增加而降低的所述区域包括在其中所述空穴浓度线性降低的区域。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述中间掺杂层设置为与所述空穴传输层的区域至少部分地叠置，其中，所述空穴传输层的所述空穴浓度为所述p型接触层的所述空穴浓度的62％至87％。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴浓度随着与所述中间掺杂层的距离的减小而增加的所述区域包括在其中所述空穴浓度线性增加的区域。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述中间掺杂层具有比所述未掺杂层的电阻更高的电阻。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴传输层包括多个未掺杂层和设置在所述多个未掺杂层之间的至少一个中间掺杂层。
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