[发明专利]一种键合结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910532042.2 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110189985B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曾甜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/603;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种键合结构的制造方法，其特征在于，包括：
依次将N片晶圆进行键合，其中，第n片晶圆与第n-1片晶圆的键合步骤，包括：
从第n片晶圆的键合面进行第一边缘修整，所述第一边缘修整的宽度为Wn，所述第一边缘修整的深度至第n片晶圆的衬底中；
将所述第n片晶圆的键合面朝向第n-1片晶圆的键合面，进行第n片晶圆与第n-1片晶圆的键合；
进行第n片晶圆衬底的减薄，以形成第n-1晶圆堆叠；
对所述第n-1晶圆堆叠进行第二边缘修整，所述第二边缘修整的宽度为Dn-1，所述第二边缘修整的深度至第1片晶圆的衬底中，当N≥3且n≥2时，Wn+1＞Dn-1＞Wn；
其中，N为大于2的自然数，n从2至N，当N≥3时，且当n≥3时，Wn＞Wn-1。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N片晶圆中相邻晶圆间的键合方式包括多种。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述N片晶圆中相邻晶圆间的键合方式包括一种。
4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述键合方式包括利用单一材料键合层进行键合或混合键合。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述进行第n片晶圆衬底的减薄，包括：
所述减薄包括：采用化学机械研磨进行的第一减薄，以及而后采用化学腐蚀进行的第二减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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