[发明专利]晶格失配的多结太阳能电池结构

权利要求书

1.一种晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底为Ge衬底；

至少一结与所述衬底的晶格常数失配的晶格失配子电池和生长在所述晶格失配子电池上的隧穿结；所述晶格失配子电池为InGaAs子电池和/或AlInGaAs子电池；

所述隧穿结包括：P型掺杂功能层和N型掺杂功能层；

其中，所述P型掺杂功能层为掺杂C的P型AlGaAsSb层或掺杂C的P型GaAsSb层，所述P型掺杂功能层不含有In组分，避免了所述P型掺杂功能层因为C的掺杂反应源卤素气体抑制In组分并入，而导致的与太阳能电池中所述晶格失配子电池的体材料InGaAs晶格失配的问题；

所述N型掺杂功能层为N型InGaAs层、N型AlInGaAs层、N型GaInP层或N型AlGaInP层，掺杂杂质为Si或者Te；

且，所述P型掺杂功能层和N型掺杂功能层的晶格常数与所述晶格失配子电池的晶格常数匹配。

2.根据权利要求1所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，

所述P型掺杂功能层中C的掺杂浓度为范围为：1×10¹⁹/cm³～2×10²⁰/cm³，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，

所述P型掺杂功能层的厚度范围为10nm-30nm，包括端点值。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，所述晶格失配多结太阳能电池沿生长方向依次包括：第一子电池、第一隧穿结、变质缓冲层、DBR反射层、第二子电池、第二隧穿结和第三子电池。

5.根据权利要求4所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，所述第一子电池为Ge子电池，所述第二子电池为InGaAs子电池，所述第三子电池为AlGaInP子电池；

其中，所述第二子电池为所述晶格失配子电池。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，所述晶格失配多结太阳能电池沿生长方向依次包括：第一子电池、第一隧穿结、变质缓冲层、DBR反射层、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第三隧穿结和第四子电池。

7.根据权利要求6所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，所述第一子电池为Ge子电池，所述第二子电池为带隙为1.0eV的InGaAs子电池，所述第三子电池为带隙为1.4eV的AlInGaAs子电池，所述第四子电池为带隙为1.9eV的AlGaInP子电池；

其中，所述第二子电池和所述第三子电池为所述晶格失配子电池。

8.根据权利要求1-3任意一项所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，所述晶格失配多结太阳能电池沿生长方向依次包括：外延腐蚀截止层、欧姆接触层、第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第一变质缓冲层、第三子电池、第三隧穿结、第二变质缓冲层和第四子电池。

9.根据权利要求8所述的晶格失配的多结太阳能电池结构，其特征在于，所述第一子电池为带隙为1.9eV的GaInP子电池，所述第二子电池为带隙为1.4eV的GaAs子电池，所述第三子电池为带隙为1.0eV的InGaAs子电池，所述第四子电池为带隙为0.7eV的InGaAs子电池；

其中，所述第三子电池为所述晶格失配子电池。