[发明专利]整流二极管在审
| 申请号： | 201910532271.4 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110148633A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 何飞 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷隔离 存储层 整流二极管 掺杂 衬底层 漂移层 反向恢复特性 电荷存储区 二极管 电路运行 叠加 | ||
1.一种整流二极管，包括N+衬底层、叠加在N+衬底层上的N-漂移层和掺杂在N-漂移层上的P型沟道层，其特征在于，P型沟道层上掺杂若干个N+电荷隔离存储层。
2.根据权利要求1所述的整流二极管，其特征在于，N+电荷隔离存储层设置掺杂四个在P型沟道层上，并且四个N+电荷隔离存储层相互之间同等距离间隔。
3.根据权利要求1或2所述的整流二极管，其特征在于，N-漂移层的顶面、P型沟道层的顶面、N+电荷隔离存储层的顶面三者拼合成的面上附着有钝化层。
4.根据权利要求1或2所述的整流二极管，其特征在于，P型沟道层的顶面、N+电荷隔离存储层的顶面两者拼合成的面上镀有金属层。
5.根据权利要求3所述的整流二极管，其特征在于，P型沟道层的顶面、N+电荷隔离存储层的顶面两者拼合成的面上镀有金属层。
6.一种整流二极管的制作工艺，其特征在于，具体制作步骤如下：
S1.在整个硅片表面进行氧化形成氧化层；
S2.在硅片上通过光刻形成P型沟道层，并将P型沟道层上的氧化层刻蚀去除；
S3.P型沟道层上注入硼后，其表面形成离子注入层；
S4.将离子注入层往硅片中进行高温推结，形成方块电阻的P型沟道层；
S5.对整个硅片进行再次氧化形成二次氧化层，并在P型沟道层上附着形成二次氧化层；
S6.在P型沟道层上再次进行光刻形成多个N+电荷隔离存储层；
S7.对多个N+电荷隔离存储层进行掺杂磷，在其表面形成掺杂层；
S8.P型沟道层和N+电荷隔离存储层的正面进行金属化处理，在其正面形成金属层；
S9.对N+电荷隔离存储层表面的磷掺杂层杂质进行高温推结，形成方块电阻的N+电荷隔离存储层掺杂区块；
S10.在金属层上通过光刻腐蚀形成接触孔。
7.根据权利要求6所述的整流二极管制作工艺，其特征在于，掺杂层的形成通过N+电荷隔离存储层直接与三氯氧磷进行进行化学反应而形成，或者N+电荷隔离存储层内注入三氯氧磷而形成。
8.根据权利要求6所述的整流二极管制作工艺，其特征在于，步骤S4中的方块电阻为10-600Ω/□的方块电阻，结深为5-40um。
9.根据权利要求6所述的整流二极管制作工艺，其特征在于，步骤S9中的方块电阻为0.35-20Ω/□的方块电阻，结深为1-20um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡光磊电子科技有限公司，未经无锡光磊电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910532271.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种巨介电薄膜晶体管
- 下一篇：防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构
- 同类专利
- 专利分类
