[发明专利]一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910533402.0 申请日: 2019-06-19
公开(公告)号: CN110323318A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 黄洁仪;戴培灿;梁瑞锋;陆水妹;李栋宇;张婷婷 申请(专利权)人: 岭南师范学院
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;C09K11/88
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李慧
地址: 524000 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 三颈烧瓶 近红外发光二极管 空心半球 制备 量子点 再分散 加热 氮气 调谐 乙烷 淬灭反应 混合溶液 四氯乙烯 室温水 甲苯 浸没 注射器 无色 甲醇 去除 窄带 密封 沉淀 制造
【说明书】:

发明公开了一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法,包括以下步骤:将OA、ODE和PbO粉末加入到三颈烧瓶内,然后将氮气注入到三颈烧瓶内,彻底去除空气;加热三颈烧瓶,直到PbO粉末完全消失,混合溶液变成无色;将含有Se粉末的Se‑TOP溶液加入到三颈烧瓶内,加热三颈烧瓶,得到PbSe QDs颗粒;将甲苯加入到三颈烧瓶内,将三颈烧瓶浸没在室温水浴中,以完全淬灭反应;PbSe QDs样品使用甲醇和乙烷沉淀再分散,纯化PbSe QDs样品,然后将纯化的PbSe QDs样品再分散在四氯乙烯中;通过注射器将PbSe QDs溶液注入到空心半球中,然后密封空心半球,将含有PbSe QDs溶液的空心半球放置在GaN芯片上。本发明制备的近红外发光二极管具有简单制造、窄带、尺寸小和易调谐的特点。

技术领域

本发明涉及光电子技术领域,尤其是涉及一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法。

背景技术

近红外光是介于可见光和中红外光之间的电磁波,按照美国试验和材料检测定义是指波长在780~2526nm范围内的电磁波,习惯上又将近红外区域划分为近红外短波和近红外长波;近红外光谱是属于分子振动光谱的倍频和主频吸收光谱,主要是由于分子振动的非谐振性使分子振动从基态向高能级跃迁时产生的,具有较强的穿透能力,近红外光主要是对含氢基团振动的倍频和合频吸收,其中包含了大多数类型有机化合物的组成和分子结构的信息,由于不同的有机物含有不同的基团,不同的基团有不同的能级,不同的基团和同一基团在不同物理化学环境中对近红外光的吸收波长都有明显的差别,且吸收系数小,发热少,因此近红外光谱可作为获取信息的一种有效的载体,近红外光照射时,频率相同的光线和基团将发生共振现象,光的能量通过分子偶极矩的变化传递给分子,而近红外光的频率和样品的振动频率不相同,该频率的红外光就不会被吸收,选用连续改变频率的近红外光照射某样品时,由于试样对不同频率近红外光的选择性吸收,通过试样后的近红外光线在某些波长范围内会变弱。

现阶段,近红外吸收光谱已是一种相当成熟的技术,具有高选择性和灵敏度,广泛用于气体传感应用,但是近红外光吸收方法中的一个重要限制因素是近红外光光源,它将直接影响气体检测系统的性能,近红外线可用的光源包括热辐射源和半导体发光二极管,对于热辐射源,连续宽带光谱将导致对应用的限制和将额外的复杂性带入系统,对于半导体发光二极管,禁带使近红外光的发射波长难以调整,现有的近红外光光源无法满足近红外光应用的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法,从而获得满足需求的近红外发光二极管,本发明制备的近红外发光二极管具有简单制造、窄带、尺寸小和易调谐的特点。

为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种PbSe量子点近红外发光二极管的制备方法,包括以下步骤:

步骤一:将适量的OA、ODE和PbO粉末加入到三颈烧瓶内,然后将氮气注入到三颈烧瓶内,彻底去除三颈烧瓶内部的空气;

步骤二:将三颈烧瓶加热至150℃~190℃,直到PbO粉末完全消失,三颈烧瓶内的混合溶液变成无色;

步骤三:将适量的含有Se粉末的Se-TOP溶液加入到三颈烧瓶内,在130℃~150℃的条件下加热三颈烧瓶,加热时间为2~10分钟,得到不同直径的PbSe QDs样品;

步骤四:将适量的甲苯加入到三颈烧瓶内,然后将三颈烧瓶浸没在室温的水浴中,以完全淬灭反应;

步骤五:PbSe QDs样品使用甲醇和乙烷沉淀再分散,进而纯化PbSe QDs样品,然后将纯化的PbSe QDs样品再分散在四氯乙烯中,用于测试光谱表征和LED制造;

步骤六:通过注射器将PbSe QDs溶液注入到空心半球中,注射完成后,密封空心半球,然后将含有PbSe QDs溶液的空心半球放置在蓝色的GaN芯片上。

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