[发明专利]可变电阻存储器件

说明书

一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月22日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0097951的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及可变电阻存储器件及其制造方法。

背景技术

在制造交叉点阵列相变随机存取存储(PRAM)器件的方法中，在对相变材料层和/或选择层进行图案化以分别形成相变材料图案和/或选择图案之后，可以形成层间绝缘层以覆盖相变材料图案和/或选择图案。然而，相变材料图案和/或选择图案可能易受湿气或在形成层间绝缘层时使用的化学品的影响，并且还可能容易被氧化而导致劣化。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种具有增强特性的可变电阻存储器件及其制造方法。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种可变电阻存储器件。该可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种可变电阻存储器件。该可变电阻存储器件可以包括：多个存储单元，每个存储单元包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；多个选择图案，设置在存储单元上；以及多个覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。每个覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是非晶硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种可变电阻存储器件。该可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的可变电阻图案；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖可变电阻图案和选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以包括非晶硅，第二覆盖图案可以包括氮化物。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种可变电阻存储器件。该可变电阻存储器件可以包括：第一导线，在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上彼此间隔开，每条第一导线沿基本上平行于衬底的上表面且与第二方向相交的第一方向延伸；第二导线，在第一导电线上在第一方向上彼此间隔开，每条第二导线沿第二方向延伸；存储单元，设置在第一导线和第二导线之间第一导线和第二导线沿基本上垂直于衬底的上表面的第三方向彼此重叠的每个区域处；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以包括非晶硅，第二覆盖图案可以包括氮化物。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种制造可变电阻存储器件的方法。该方法可以包括：在衬底上形成存储单元，该存储单元包括可变电阻图案；在存储单元上形成选择图案；形成第一覆盖层以覆盖选择图案，第一覆盖层包括非晶硅；以及在第一覆盖层上形成第二覆盖层，第二覆盖层包括氮化物。

根据本发明构思的示例实施例，提供了一种制造可变电阻存储器件的方法。该方法可以包括：在衬底上形成顺序堆叠的可变电阻图案、第一电极和选择图案；形成第一覆盖层以覆盖可变电阻图案、第一电极和选择图案的侧壁，第一覆盖层包括非晶硅；以及在第一覆盖层上形成第二覆盖层，第二覆盖层包括氮化物。