[发明专利]一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法及结构有效
| 申请号： | 201910534586.2 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110246753B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李仕强;王东盛;李亦衡;张葶葶;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/207 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 gan 掺杂 浓度 外延 结构 制备 方法 | ||
1.一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，由以下步骤组成：在衬底上生长缓冲层，在所述的缓冲层上生长p型GaN层，在生长所述的p型GaN层时掺杂Mg、Zn、Fe中的一种，其特征在于：在生长所述的p型GaN层时，掺入活化剂，所述的活化剂为Al，所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min。
2.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：所述的活化剂的摩尔流量为20~250umol/min。
3.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：当Mg来进行掺杂，在高温下生长GaN同时将CpMg掺杂进去，其掺杂浓度在3e19/cm-3以上。
4.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：在1000℃~1100℃的温度下通入NH3、TMAl：在所述的衬底上生长所述的缓冲层，
在1000℃~1100℃的温度下通入NH3、TMGa：在所述的缓冲层生长所述的p型GaN层。
5.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：所述的p型GaN层的生长厚度为50-1500nm。
6.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：所述的缓冲层为AlN缓冲层、GaN缓冲层。
7.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：所述的缓冲层的生长厚度为20~200nm。
8.根据权利要求1所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法，其特征在于：所述的衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底。
9.一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构，其特征在于：其由权利要求1至8中任意一项所述的制备方法制得。
10.根据权利要求9所述的一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构，其特征在于：所述的外延结构包括衬底、形成在所述的衬底上的缓冲层、形成在所述的缓冲层上的p型GaN层，所述的p型GaN层的掺杂浓度至少为2e18/cm-3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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