[发明专利]一种倒装发光二极管及其制造方法

说明书

本发明提出一种倒装发光二极管及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；形成图案化电流阻挡层于所述外延结构上；形成电流扩展层于所述外延结构上，并移除部分所述电流扩展层及外延结构，以暴露所述第二半导体层；移除部分所述电流扩展层及外延结构，形成隔离槽，以暴露所述衬底；形成图案化反射层于所述电流扩展层上；形成第一电极及第二电极于所述图案化反射层上，所述第一电极连接所述电流扩展层，所述第二电极连接暴露的所述第二半导体层；形成图案化钝化层于所述第一电极及第二电极上；形成第一焊盘电极及第二焊盘电极于所述图案化钝化层上，所述第一焊盘电极连接所述第一电极，所述第二焊盘电极连接所述第二电极。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种倒装发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)因具有色纯度高、响应速度快、体积小、可靠性好、寿命长、环保等优点，无疑成为最受重视的光源技术，随着技术的发展，高像素屏要求越显突出，对芯片尺寸提出了更高的要求。根据TrendForce发布的2018年科技产业发展趋势中指出，由于微型发光二极管(Mini LED)技术可搭配软性基板，达成高曲面背光的形式，将有机会使用在手机、电视、车载面板等多种应用上。

倒装LED芯片相较于普通正装LED芯片，具有散热好、寿命长的特点，同时，因为其不需要使用焊线工艺，节约了封装成本的同时也增加了封装整体可靠性。目前市场上的倒装芯片通常采用布拉格反射层(Distributed Bragg Reflection，DBR)，由于布拉格反射层因为其本身不导电，其电压普遍较高，导致其光效较低，芯片产热较多影响寿命。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种倒装发光二极管的制造方法，以降低倒装发光二极管的电压，提升亮度，提高芯片的光效。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种倒装发光二极管的制造方法，包括：

提供一衬底；

形成外延结构于所述衬底上，所述外延结构包括第一半导体层及第二半导体层；

形成图案化电流阻挡层于所述外延结构上；

形成电流扩展层于所述外延结构上，并移除部分所述电流扩展层及外延结构，以暴露所述第二半导体层，其中，所述电流扩展层覆盖所述图案化电流阻挡层；

移除部分所述电流扩展层及外延结构，形成隔离槽，以暴露所述衬底；

形成图案化反射层于所述电流扩展层上；

形成第一电极及第二电极于所述图案化反射层上，所述第一电极连接所述电流扩展层，所述第二电极连接暴露的所述第二半导体层；

形成图案化钝化层于所述第一电极及第二电极上；

形成第一焊盘电极及第二焊盘电极于所述图案化钝化层上，所述第一焊盘电极连接所述第一电极，所述第二焊盘电极连接所述第二电极。

在一实施例中，所述形成电流扩展层于所述外延结构上，并移除部分所述电流扩展层及外延结构，以暴露所述第二半导体层包括：

通过蒸镀和/或溅射在所述外延结构上形成一层电流扩展层，所述电流扩展层的厚度在20-200nm之间；

通过刻蚀移除部分所述电流扩展层及外延结构，以暴露所述第二半导体层，其中，刻蚀的深度在1-2μm之间。

在一实施例中，所述图案化反射层还位于所述衬底及第二半导体层上，所述图案化反射层在所述电流扩展层上形成第一开口，所述图案化反射层在所述第二半导体层上形成第二开口。

在一实施例中，所述第一电极通过所述第一开口连接所述电流扩展层，所述第二电极通过所述第二开口连接所述第二半导体层。