[发明专利]一种Ag2

权利要求书

1.一种Ag₂S量子点敏化的纳米叶状InVO₄薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：制备InVO₄薄膜

(1)将InCl₃溶于去离子水，常温下磁力搅拌，加入NH₄VO₃，滴加NaOH溶液调节混合溶液的pH值至pH＝7，继续搅拌，超声处理，配制得到InVO₄前驱体溶液；

(2)将洗净备用的FTO导电面朝下放置在不锈钢高压反应釜内胆中，倒入步骤一(1)中制备的InVO₄前驱体溶液，进行水热反应，水热温度为120℃，水热时间为4h～8h，冷却至室温后取出FTO，用去离子水清洗，烘干制备得到InVO₄薄膜；

步骤二：制备InVO₄/Ag₂S薄膜

(1)将AgNO₃溶于去离子水，常温下磁力搅拌，配制得到AgNO₃溶液；

(2)将Na₂S溶于去离子水，常温下磁力搅拌，配制得到Na₂S溶液；

(3)采用连续离子层吸附反应法制备InVO₄/Ag₂S薄膜。

2.如权利要求1所述的一种Ag₂S量子点敏化的纳米叶状InVO₄薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(1)的工艺参数为：将0.1-0.3g InCl₃溶于50mL去离子水，常温下磁力搅拌15min，然后加入0.2-0.4g NH₄VO₃，调节混合溶液pH值后，继续搅拌15min，然后超声处理15min，得到InVO₄前驱体溶液。

3.如权利要求1所述的一种Ag₂S量子点敏化的纳米叶状InVO₄薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(2)的工艺参数为：将洗净备用的FTO导电面朝下放置在不锈钢高压反应釜内胆中，倒入所述步骤一(1)制备的InVO₄前驱体溶液，进行水热反应，冷却至室温后取出FTO并用去离子水清洗，60℃烘干制备得到InVO₄薄膜。

4.如权利要求1所述的一种Ag₂S量子点敏化的纳米叶状InVO₄薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(1)的工艺参数为：将0.1-0.4g AgNO₃溶于40mL去离子水，常温下磁力搅拌5min，配制得到AgNO₃溶液。

5.如权利要求1所述的一种Ag₂S量子点敏化的纳米叶状InVO₄薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(2)的工艺参数为：将0.2-0.5g Na₂S溶于40mL去离子水，常温下磁力搅拌5min，配制得到Na₂S溶液。

6.如权利要求1所述的一种Ag₂S量子点敏化的纳米叶状InVO₄薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(3)的工艺参数为：将所述步骤一中(2)制备的InVO₄薄膜于步骤二(1)中的AgNO₃溶液浸渍10s，用去离子水清洗；再将InVO₄薄膜于步骤二(2)中的Na₂S溶液浸渍10s，再用去离子水清洗。此过程为1个周期，循环15-30个周期。最后，60℃烘干制备得到InVO₄/Ag₂S薄膜。