[发明专利]半导体结构与连线结构的制作方法有效
| 申请号： | 201910535651.3 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN112018074B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟翰;王翊丞;陈冠智;刘光文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L23/48;H01L21/768;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 连线 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，包含：
一半导体装置；
一第一金属化层，设置于该半导体装置上，该第一金属化层包含一第一介电层与设置在该第一介电层中的一第一金属层，其中该第一金属层具有一第一厚度，该第一金属层包含铜；
一第二金属化层，设置于该第一金属化层上，其中该第二金属化层包含一第二介电层与设置在该第二介电层中的一第二金属层；以及
一第三介电层，设置于该第一金属化层与该第二金属化层之间，其中该第三介电层具有一第二厚度，该第三介电层的该第二厚度与该第一金属层的该第一厚度的比值介于3与20之间；
其中，该第一金属层包含多个第一金属线，该第二金属层包含多个第二金属线，且这些第一金属线的延伸方向正交于这些第二金属线的延伸方向。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二金属层的材料不同于该第一金属层的材料。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中这些第一金属线为位线。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该半导体装置为垂直式存储器元件。
5.一种半导体结构，包含：
一半导体装置；
一第一介电层，设置于该半导体装置上；
一第一金属层，设置于该第一介电层中，其中该第一金属层具有一第一厚度，该第一厚度的范围为至该第一金属层包含铜；以及
一第二介电层，设置于该半导体装置上且与该第一金属层的一上表面接触，其中该第二介电层具有一第二厚度，该第二厚度的范围为至以及
一第二金属层，设置于该第二介电层中；
其中，该第一金属层包含多个第一金属线，该第二金属层包含多个第二金属线，且这些第一金属线的延伸方向正交于这些第二金属线的延伸方向。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中这些第一金属线的宽度小于这些第二金属线的宽度。
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