[发明专利]阵列基板的制备方法和制备系统

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层，并对所述保护层图案化形成保护层图案；

以所述保护层图案为掩模，对所述栅极层进行刻蚀形成栅极；

以所述保护层图案为掩模，对所述有源层的第一区域进行导体化处理，所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域；

以所述保护层图案为掩膜，对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案；

剥离所述保护层图案。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述以所述保护层图案为掩模，对所述有源层的第一区域进行导体化处理，所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域的步骤包括：对所述第一区域进行准分子激光照射。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括：用氟化氪激光进行照射。

4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括：用氟化氩激光进行照射。

5.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行准分子激光照射的步骤包括：用氯化氙激光进行照射。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述以所述保护层图案为掩模，对所述有源层的第一区域进行导体化处理，所述第一区域为未被所述保护层图案在所述有源层上的投影覆盖的区域的步骤包括：对所述第一区域进行烘烤。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述第一区域进行烘烤的步骤包括：用300℃至350℃温度烘烤。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上依次制备层叠设置的有源层、栅绝缘层、栅极层、保护层，并对所述保护层图案化形成保护层图案的步骤包括：在所述栅极层上涂布光刻胶，并对光刻胶图案化。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述以所述保护层图案为掩模，对所述栅极层进行刻蚀形成栅极的步骤包括：对所述栅极层采用湿法刻蚀。

10.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述以所述保护层图案为掩膜，对所述栅绝缘层进行刻蚀形成栅绝缘层图案的步骤包括：对所述栅绝缘层采用干法刻蚀。