[发明专利]一种不等高金属光栅及其制作方法

权利要求书

1.一种不等高金属光栅的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上制作种子层；

在所述种子层上涂覆光刻胶，对涂覆在所述种子层的光刻胶进行光栅曝光和光栅显影，形成第一光栅图形，以使所述种子层暴露出来；

通过电镀形成第一金属栅线；

在所述第一光栅图形上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第二光栅图形，所述第二光栅图形的光栅常数大于所述第一光栅图形的光栅常数；

再次进行电镀，形成第二金属栅线；

去除光刻胶，并刻蚀去除没被遮掩的种子层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为半导体衬底。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在衬底上制作种子层具体包括：通过电子束蒸发技术，先在衬底上沉积1纳米至5纳米Ti金属层，然后在所述钛金属层上沉积3纳米至15纳米Au金属层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过电镀形成第一金属栅线具体包括：所述电镀的金属为金，所述第一金属栅线厚度为0.8微米至2微米。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一光栅图形的光栅常数为1微米至5微米，所述第二光栅图形的光栅常数为2微米至10微米。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过电镀形成第二金属栅线具体包括：所述电镀的金属为金，所述第二金属栅线厚度为2微米至5微米。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除光刻胶采用丙酮。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蚀去除所述种子层采用反应离子刻蚀。

9.一种不等高金属光栅，其特征在于，所述不等高金属光栅采用如权利要求1～8任一项所述不等高金属光栅的制作方法制作形成；

所述不等高金属光栅包括：

衬底；

设置于所述衬底上的种子层；

设置于所述种子层上等间距分布的第一金属栅线；

设置于所述种子层上等间距分布的第二金属栅线，所述第二金属栅线的光栅常数大于等于所述第一金属栅线的光栅常数，所述第二金属栅线的厚度大于所述第一金属栅线的厚度。

10.如权利要求9所述的不等高金属光栅，其特征在于，所述第一金属栅线的光栅常数为1微米至5微米，所述第二金属栅线的光栅常数为2微米至10微米。