[发明专利]一种用于射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器

说明书

本申请公开了一种用于射频功率放大器的偏置电路以及射频功率放大器，相比于现有技术，在本申请所提供的偏置电路中是添加了带有增益的反馈环路，并且，该反馈环路对温度不敏感，这样通过添加有反馈环路的偏置电路就可以对偏置电路中由HBT所产生的温度反馈信号进行放大，并由此提高偏置电路对温度进行反馈补偿时的灵敏性，这样就能够相对降低温度对偏置电路的影响，并且，由于该反馈环路对温度不敏感，这样也就不会给偏置电路带来由于反馈环路温度变化所引起的变量。由此可见，在本申请中由于相对降低了射频功率放大器中的偏置电路受温度变化的影响程度，这样就能够显著降低射频功率放大器输出电流的变化幅值。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，特别涉及一种用于射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器。

背景技术

随着无线通信技术的飞速发展，人们对于通信系统的性能指标提出了越来越高的要求。作为无线通信系统中的一个重要组成部分，射频功率放大器的线性度显得尤为重要，在射频功率放大器中射频功放主要采用的是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极型晶体管)，但是，由于HBT的导热性能较差，从而导致HBT在实际运行过程中的功率特性经常会受到高温响应的限制，所以，在实际应用当中，需要对射频功率放大器中的偏置电路进行温度补偿。请参见图1，图1为现有技术当中对射频功率放大器中的偏置电路进行温度补偿的电路结构图，在该偏置电路中，由于偏置电路的整体反馈增益很低，从而导致偏置电路的温度补偿效果较差，并由此导致射频功率放大器的输出电流的变化幅度较大。针对这一技术问题，目前还没有较为有效的解决办法。

由此可见，如何进一步减少射频功率放大器输出电流的变化幅值，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种用于射频功率放大器的偏置电路，以减少射频功率放大器输出电流的变化幅值。其具体方案如下：

一种用于射频功率放大器的偏置电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一HBT、第二HBT、第三HBT和电感；其中，所述第一电阻的第一端与VCC连接，所述第一电阻的第二端与第一HBT的集电极相连，所述第一HBT的发射极分别与第二电阻的第一端和第三电阻的第一端相连，所述第一HBT的基极分别与所述第一电容的正极和所述第四电阻的第一端相连，所述第一电容的负极接地，所述第四电阻的第二端连接Vref，所述第四电阻的第一端还与第二HBT的集电极相连，所述第二HBT的发射极接地，所述第二HBT的基极与所述第三电阻的第二端相连，所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和所述第三HBT的基极相连，所述第二电容的第二端为射频电路的输入端，所述第三HBT的发射极接地，所述第三HBT的集电极分别与第三电容的第一端和所述电感相连，所述第三电容的第二端为所述射频电路的输出端；还包括：带有增益的反馈环路，并且，所述反馈环路对温度不敏感；其中，所述反馈环路串联在所述第四电阻和所述第一电容所在的支路上。

优选的，所述反馈环路具体包括：

第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第四HBT、第五HBT；

其中，所述第五电阻的第一端和第六电阻的第一端分别与Vref相连，所述第五电阻的第二端与所述第四HBT的集电极相连，所述第四HBT的发射极与第七电阻的第一端相连，所述第六电阻的第二端与所述第五HBT的集电极相连，所述第五HBT的发射极与所述第八电阻的第一端相连，所述第八电阻的第二端分别与所述第七电阻的第二端和所述第九电阻的第一端相连，所述第九电阻的第二端接地，所述第四HBT的基极分别与第十电阻的第一端和第十一电阻的第一端相连，所述第十电阻的第二端与Vref相连，所述第十一电阻的第二端接地；并且，所述第四HBT的基极和所述第五HBT的基极分别为第一信号输入端和第二信号输入端，所述第五电阻的第二端为信号输出端。