[发明专利]一种高灵敏度电流放大电路及其芯片

权利要求书

1.一种高灵敏度电流放大电路，其特征在于，包括：

依次连接的第一输入电流源、电流放大模块、电压转换单元和高低电平输出模块；

其中，所述第一输入电流源，用于生成电流信号；

所述电流放大模块，用于接收第一输入电流源输入的电流信号，然后通过两组PMOS管构成的电流复制电路对所述电流信号进行放大；

所述电压转换单元，用于将经过电流放大模块放大后的所述电流信号转换为指定电压的电压信号；

所述高低电平输出模块，用于将所述的电压信号转变为高低电平信号输出；

所述电流放大模块设置有第一电源输入端、第一输入端I-IN和第一输出端V-R，所述第一电源输入端与电源连接，第一输入端I-IN与第一输入电流源连接；

所述电流放大模块还包括上级PMOS管组和下级PMOS管组；

所述上级PMOS管组包括第一PMOS器件Q1、第三PMOS器件Q3、第五PMOS器件Q5、第七PMOS器件Q7、第九PMOS器件Q9、第十一PMOS器件Q11、第十三PMOS器件Q13、第十五PMOS器件Q15、第十七PMOS器件Q17、第十九PMOS器件Q19和第二十一PMOS器件Q21，所述第一PMOS器件Q1、第三PMOS器件Q3、第五PMOS器件Q5、第七PMOS器件Q7、第九PMOS器件Q9、第十一PMOS器件Q11、第十三PMOS器件Q13、第十五PMOS器件Q15、第十七PMOS器件Q17、第十九PMOS器件Q19和第二十一PMOS器件Q21的源极相互连接并作为第一电源输入端与电源连接；

第一PMOS器件Q1、第三PMOS器件Q3、第五PMOS器件Q5、第七PMOS器件Q7、第九PMOS器件Q9、第十一PMOS器件Q11、第十三PMOS器件Q13、第十五PMOS器件Q15、第十七PMOS器件Q17、第十九PMOS器件Q19和第二十一PMOS器件Q21的栅极相互连接并作为第一输出端V-R与外置电阻R3的一端连接；

所述下级PMOS管组包括第二PMOS器件Q2、第四PMOS器件Q4、第六PMOS器件Q6、第八PMOS器件Q8、第十PMOS器件Q10、第十二PMOS器件Q12、第十四PMOS器件Q14、第十六PMOS器件Q16、第十八PMOS器件Q18、第二十PMOS器件Q20和第二十二PMOS器件Q22，所述第二PMOS器件Q2的源极与第一PMOS器件Q1的漏极连接，第二PMOS器件Q2的漏极与第一PMOS器件Q1的漏极连接并连接于第一电阻的一端，第四PMOS器件Q4的源极与第三PMOS器件Q3的漏极连接，第六PMOS器件Q6的源极与第五PMOS器件Q5的漏极连接，第八PMOS器件Q8的源极与第七PMOS器件Q7的漏极连接，第十PMOS器件Q10的源极与第九PMOS器件Q9的漏极连接，第十二PMOS器件Q12的源极与第十一PMOS器件的Q11的漏极连接，第十四PMOS器件Q14的源极与第十三PMOS器件的漏极连接，第十六PMOS器件Q16的源极与第十五PMOS器件的漏极Q15连接，第十八PMOS器件Q18的源极与第十七PMOS器件Q17的漏极连接，第二十PMOS器件Q20的源极与第十九PMOS器件Q19的漏极连接，第二十二PMOS器件Q22的源极与第二十一PMOS器件Q21的漏极连接，所述第二PMOS器件Q2、第四PMOS器件Q4、第六PMOS器件Q6、第八PMOS器件Q8、第十PMOS器件Q10、第十二PMOS器件Q12、第十四PMOS器件Q14、第十六PMOS器件Q16、第十八PMOS器件Q18、第二十PMOS器件Q20和第二十二PMOS器件Q22的栅极与第一电阻的另一端连接并作为第一输入端I-IN，第一电流源的输出端接地；

所述第二PMOS器件Q2、第四PMOS器件Q4、第六PMOS器件Q6、第八PMOS器件Q8、第十PMOS器件Q10、第十二PMOS器件Q12、第十四PMOS器件Q14、第十六PMOS器件Q16、第十八PMOS器件Q18、第二十PMOS器件Q20和第二十二PMOS器件Q22的漏极相互连接并作为第一输出端V-R；

所述电源输入为3V～5V。

2.如权利要求1所述的一种高灵敏度电流放大电路，其特征在于，所述高低电平输出模块包括第二电源输入端、第二输入端V-VIN、第二输出端和第三输出端VOUT，所述第二电源输入端与电源连接，第二输入端V-VIN连接与所述的第一输出端V-R连接，所述第二输出端接地。