[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔的侧壁上形成有存储功能层；

在所述沟道孔的内壁上形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上形成硅锗层；

在所述硅锗层上形成第二多晶硅层；

以介质材料填充所述沟道孔。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一多晶硅层上形成硅锗层，包括：

在所述第一多晶硅层上沉积硅锗层；

进行热氧化工艺，使得部分厚度的硅锗层被氧化，并去除被氧化的硅锗层。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层、所述硅锗层以及所述第二多晶硅层的结晶工艺，在形成第二多晶硅层之后进行。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述热氧化工艺在氧气气氛中进行，工艺温度的范围为700-900℃。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的形成方法包括：

在所述沟道孔内壁之上形成硅种子层；

在所述硅种子层上形成第一多晶硅层；

进行所述第一多晶硅层的回刻。

6.根据权利要求1或5所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为5-7nm。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述存储功能层的形成方法包括：

进行所述存储功能层的沉积；

进行牺牲保护层的沉积；

进行沟道孔底面上的牺牲保护层及存储功能层的刻蚀，直至打开沟道孔底面上的存储功能层；

去除牺牲保护层。

8.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上的堆叠层；

所述堆叠层中的沟道孔；

所述沟道孔侧壁上的存储功能层；

所述存储功能层以及所述沟道孔底面上依次层叠的第一多晶硅层、硅锗层和第二多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其特征在于，所述存储功能层包括从沟道层侧壁依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层。

10.根据权利要求8所述的存储器件，其特征在于，所述硅锗层中锗的含量为50-95％。