[发明专利]一种晶圆结构的制造方法

权利要求书

1.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的正面键合至所述第二晶圆的正面，所述第一晶圆包括第一衬底以及第一衬底上的第一介质层以及所述第一介质层中的第一互连层，所述第二晶圆包括第二衬底以及第二衬底上的第二介质层以及所述第二介质层中的第二互连层；

从所述第一衬底进行刻蚀以形成硅通孔，所述硅通孔包括所述第一互连层上的第一硅通孔和/或第二互连层上的第二硅通孔；

进行绝缘层的沉积，所述硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度大于所述硅通孔侧壁及底面上绝缘层的厚度，所述硅通孔底面上绝缘层的厚度大于所述硅通孔侧壁上绝缘层的厚度；

进行所述绝缘层的各向异性刻蚀，直至去除所述硅通孔底面上的绝缘层；

进行所述硅通孔的填充。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

所述第一硅通孔未贯通至所述第一互连层，则在所述去除所述硅通孔底面上的绝缘层之后，所述进行所述硅通孔的填充之前，还包括：

从所述第一硅通孔继续进行刻蚀，直至暴露所述第一硅通孔下的第一互连层；

所述第二硅通孔未贯通至所述第二互连层，则在所述去除所述硅通孔底面上的绝缘层之后，所述进行所述硅通孔的填充之前，还包括：

从所述第二硅通孔继续进行刻蚀，直至暴露所述第二硅通孔下的第二互连层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述硅通孔包括所述第一硅通孔和所述第二硅通孔，所述从所述第一衬底进行刻蚀以形成硅通孔，包括：

从所述第一衬底在所述第一互连层之上进行刻蚀且保留部分厚度的第一介质层，以形成第一互连层上的第一硅通孔；

从所述第一衬底在所述第二互连层之上进行刻蚀且保留部分厚度的第二介质层，以形成第二互连层上的第二硅通孔。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度与所述硅通孔侧壁上绝缘层的厚度的比值范围为1.5-2.5，所述硅通孔底面上绝缘层的厚度与所述硅通孔侧壁上绝缘层的厚度的比值范围为1.2-2。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述硅通孔的深度范围为2-4μm，所述硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度、所述硅通孔侧壁上绝缘层的厚度及所述硅通孔底面上绝缘层的厚度的比例为2:1:1.7；所述硅通孔的深度范围为6-8μm，所述硅通孔的开口拐角处的绝缘层厚度、所述硅通孔侧壁上绝缘层的厚度及所述硅通孔底面上绝缘层的厚度的比例为2:1:1.2。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，进行所述绝缘层的各项异性刻蚀之后，所述硅通孔侧壁上的绝缘层外侧边缘与所述硅通孔侧壁的夹角的范围为0-5°。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为单层结构。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为多层结构，所述多层结构中至少一层在所述硅通孔的开口拐角处的厚度大于所述硅通孔的侧壁及底面的厚度。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述多层结构中的至少一层为所述多层结构的表层，所述多层结构中的其他层具有基本均匀的厚度。