[发明专利]干蚀刻设备

权利要求书

1.一种干蚀刻设备，其特征在于，包括：

蚀刻腔体；

第一电极和第二电极，在对基板进行干蚀刻处理时，所述第一电极和第二电极相对设置、且位于所述蚀刻腔体内；所述第一电极设置有凸起图案，所述基板放置在所述凸起图案的支撑面上；

蚀刻单元，用于向所述蚀刻腔体内输入蚀刻气体，并在所述第一电极和第二电极所形成电场的控制下，对所述基板的膜层进行蚀刻；

防静电构件，用于对所述第一电极进行预处理，以缓解所述基板上的静电积累；

其中，所述防静电构件包括：

检测单元，用于检测所述凸起图案的粗糙度，所述检测单元包括平面机台和计算单元，所述平面机台用于接触所述凸起图案的支撑面，所述计算单元用于获取所述凸起图案与所述平面机台的接触面积，根据所述凸起图案的设计面积以及所述接触面积，确定所述凸起图案的粗糙度；

打磨单元，用于根据所述凸起图案的粗糙度，对所述凸起图案进行打磨，所述打磨单元包括判断单元和驱动单元，所述判断单元用于判断所述凸起图案的粗糙度是否满足预设条件，所述驱动单元用于在所述判断单元判定所述凸起图案的粗糙度不满足预设条件时，驱动打磨刀对所述凸起图案的支撑面进行打磨预定时长。

2.根据权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻单元具体用于：对所述基板的硅层进行蚀刻，以得到硅岛。

3.根据权利要求1所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻单元具体用于：对所述基板的硅层进行蚀刻，以得到目标厚度的硅层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述防静电构件包括：

监控单元，用于监控所述蚀刻单元的蚀刻进度；

通气单元，用于在所述监控单元确定蚀刻完成后，向所述凸起图案通氧化性气体。

5.根据权利要求4所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述通气单元具体用于：向所述凸起图案通氧气。

6.根据权利要求4所述的干蚀刻设备，其特征在于，所述通气单元具体用于：向所述凸起图案通氧化性气体4秒至6秒。