[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，包括：

在衬底上形成碳纳米管；

在所述碳纳米管上形成栅叠层结构；

形成覆盖所述栅叠层结构的侧壁的侧墙；

形成覆盖所述碳纳米管与所述侧墙的金属层，部分位于所述碳纳米管上的所述金属层作为与所述碳纳米管接触的电接触；以及

去除所述金属层的一部分以暴露至少部分所述侧墙，

其中，去除所述金属层的步骤包括：将所述金属层的表面部分转变成牺牲层，以及将所述牺牲层去除。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，将所述金属层的表面部分转变成所述牺牲层，去除所述牺牲层后重新暴露所述金属层，

去除所述金属层的步骤还包括重复所述转变与去除所述牺牲层的步骤至暴露至少部分所述侧墙。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述转变的步骤包括对所述金属层进行化学处理，以改变所述金属层的表面部分的材料性质。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述化学处理包括氧化处理和/或卤化处理。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述化学处理包括采用氧化剂将所述金属层的表面部分氧化，以改变所述金属层的表面部分的材料性质，

其中，所述氧化剂包括氟、臭氧、双氧水、高锰酸银、二氧化氯、次氯酸、氯气以及氧气中的一种或组合。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述化学处理包括采用卤化剂将所述金属层的表面部分卤化，以改变所述金属层的表面部分的材料性质，

其中，所述卤化剂包括卤素、氢卤酸、SO₂Cl₂、SOCl₂、HOCl、COCl₂、SCl₂、ICl、KF、NaF、SbF₃以及PCl₃中的一种或组合。

7.根据权利要求3-6任一所述的制造方法，其中，调节所述化学处理的工艺参数，以控制改变材料性质的所述金属层的厚度。

8.根据权利要求1-6任一所述的制造方法，其中，去除所述牺牲层的方法包括干法刻蚀和/或湿法腐蚀，

其中，所述牺牲层相比于所述金属层具有高选择性。

9.根据权利要求1-6任一所述的制造方法，其中，所述晶体管为N型MOSFET时，所述金属层的材料包括钪、钇、铝、钛、金、铂、钼、钾以及钙中的一种或组合。

10.根据权利要求1-6任一所述的制造方法，其中，所述晶体管为P型MOSFET时，所述金属层的材料包括钯、铝、钛、金、铂、钼、钾以及钙中的一种或组合。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，覆盖所述侧墙的中部、下部的所述金属层的厚度小于覆盖所述侧墙的上部的所述金属层的厚度，

去除所述金属层的一部分以暴露所述侧墙的中部与所述侧墙的下部，并保留覆盖所述侧墙的上部的所述金属层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，还包括：

覆盖所述金属层与所述侧墙形成层间介质层；以及

采用平坦化工艺去除部分所述层间介质层与覆盖所述侧墙的上部的所述金属层，

其中，所述平坦化工艺包括化学机械研磨。

13.根据权利要求12所述的制造方法，还包括在所述栅叠层结构上形成掩模层，所述侧墙覆盖所述掩模层的侧壁，所述金属层覆盖所述掩模层的表面，

其中，所述化学机械研磨停止在所述栅叠层结构上。

14.根据权利要求11-13任一所述的制造方法，其中，所述栅叠层结构包括假栅结构，所述制造方法还包括将所述假栅结构替换为金属栅结构。

15.一种晶体管，利用如权利要求1-14任一所述的制造方法形成。