[发明专利]等离子体处理设备及等离子体处理系统

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：

基片处理腔；

气体供应单元，用于向所述基片处理腔内输送反应气体；

位于所述基片处理腔内的基座，所述基座用于承载待处理基片；

位于所述基片处理腔上方的第一壳体，所述第一壳体具有气体通道，所述气体通道用于释放第一壳体内的第一气体；

位于所述第一壳体内的电感线圈，所述电感线圈用于使所述反应气体转化为等离子体；

位于所述基片处理腔下方的第二壳体，所述气体通道的端口朝向第二壳体；

位于所述第二壳体内的抽真空装置，所述抽真空装置用于使所述基片处理腔内为真空环境；

位于所述第二壳体下方的抽气装置，所述抽气装置用于将所述第一气体从第二壳体周围抽走。

2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一壳体包括：第一侧壁、贯穿所述第一侧壁的气体孔以及磁屏蔽罩，所述磁屏蔽罩与第一侧壁之间构成所述气体通道，所述气体通道与气体孔连通。

3.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：第一鼓风装置，所述第一鼓风装置用于向第一壳体内输送冷却气体，所述冷却气体用于对第一壳体内进行降温形成第一气体。

4.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：位于所述第一壳体内的绝缘窗口，所述绝缘窗口位于基片处理腔的顶部，所述电感线圈位于所述绝缘窗口上。

5.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一壳体的材料包括导磁材料。

6.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第二壳体还包括散热孔；所述等离子体处理设备还包括：位于第二壳体内的第二鼓风装置，所述第二鼓风装置用于向第二壳体内输送冷却气体，所述冷却气体用于对第二壳体内进行降温形成第二气体；所述抽气装置用于将第二气体抽出。

7.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述气体供应单元包括：若干根与基片处理腔连通的进气管路和若干个气体控制器，且一根进气管路与一个气体控制器相连。

8.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述抽真空装置包括相互连接的第一抽真空器件和第二抽真空器件，所述第一抽真空器件用于使基片处理腔内的压力降低，所述第二抽真空器件用于使基片处理腔内为真空环境。

9.如权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：位于第二壳体内的第一节流阀，所述第一节流阀与第一抽真空器件连接，所述第一节流阀用于控制所述第一抽真空器件所抽反应气体的流量大小；位于第二壳体内的第二节流阀，所述第二节流阀与第二抽真空器件连接，所述第二节流阀用于控制所述第二抽真空器件所抽反应气体的流量大小。

10.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：位于所述第二壳体内的第一加热器，所述第一加热器用于对抽真空装置进行加热。

11.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：第三壳体，所述第三壳体包围所述基片处理腔。

12.如权利要求11所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第三壳体的材料包括：导磁材料。

13.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述基片处理腔侧壁的承载环。

14.如权利要求13所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：第二加热器，用于对基片处理腔和环形内衬进行加热。