[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，被所述基板支撑；

栅极绝缘层，覆盖所述栅极；以及

氧化物半导体层，是设置在所述栅极绝缘层上，具有结晶区域的氧化物半导体层，所述结晶区域包括第一区域、第二区域和位于所述第一区域及所述第二区域之间的沟道区域，所述沟道区域、所述第一区域及所述第二区域经由所述栅极绝缘层与所述栅极重叠；

保护绝缘层，以覆盖所述沟道区域，且露出所述第一区域及所述第二区域的方式配置在所述氧化物半导体层上；

源极，与所述第一区域电连接；

漏极，与所述第二区域电连接，

所述沟道区域的结晶性与所述第一区域及所述第二区域的结晶性不同。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区域的结晶性低于所述第一区域及所述第二区域的结晶性。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区域的平均晶粒粒径小于所述第一区域及所述第二区域的平均晶粒粒径。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区域包括微晶氧化物半导体，

所述第一区域及所述第二区域包括多晶氧化物半导体或多晶氧化物导体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体进一步包括非晶区域。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，

所述薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，被所述基板支撑；

栅极绝缘层，覆盖所述栅极；以及

氧化物半导体层，设置在所述栅极绝缘层上，且包括第一区域、第二区域和位于所述第一区域及所述第二区域之间的沟道区域，所述沟道区域、所述第一区域及所述第二区域经由所述栅极绝缘层与所述栅极重叠；

保护绝缘层，以覆盖所述沟道区域，且露出所述第一区域及所述第二区域的方式配置在所述氧化物半导体层上；

源极，与所述第一区域电连接；

漏极，与所述第二区域电连接，

所述沟道区域为非晶态，所述第一区域及所述第二区域为结晶态。

7.根据权利要求1～4以及6中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护绝缘层的一部分位于所述氧化物半导体层和所述源极之间，所述保护绝缘层的另一部分位于所述氧化物半导体层和所述漏极之间。

8.根据权利要求1～4以及6中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层包含铟、镓和锌。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

根据权利要求1～4以及6中任一项所述的薄膜晶体管；

以及具有多个像素的显示区域，

所述薄膜晶体管配置在所述多个像素中的每一个上。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

步骤(A)，准备在表面上形成栅极和覆盖所述栅极的栅极绝缘层的基板；

步骤(B)，在所述栅极绝缘层上形成由非晶氧化物半导体构成的半导体膜；

步骤(C)，在所述半导体膜上形成绝缘膜，通过进行所述绝缘膜的图案化，来形成覆盖成为所述半导体膜中的沟道区域的部分的保护绝缘层；

步骤(D)，通过将激光从所述保护绝缘层的上方照射所述半导体膜，在从所述基板的法线方向观察时与所述栅极重叠的区域中，以所述半导体膜中被所述保护绝缘层覆盖的部分的结晶性与未被所述保护绝缘层覆盖的部分的结晶性不同的方式，使被所述保护绝缘层覆盖的所述部分及未被所述保护绝缘层覆盖的所述部分结晶；

步骤(E)，形成源极和漏极，所述源极电连接到所述半导体膜中未被所述保护绝缘层覆盖的所述部分中的一部分，所述漏极是电连接到未被所述保护绝缘层覆盖的所述部分中的另一部分。