[发明专利]生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构及装置

权利要求书

1.一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，包括：

滚轮，两个所述滚轮间隔设置，基带包裹在两个所述滚轮外侧；

滚筒，所述滚筒设置在两个所述滚轮之间，所述滚筒与基带接触；

镀膜组件，所述镀膜组件的位置与所述滚筒的位置相对应；

镀膜方法为采用金属靶材反应溅射镀膜；

采用小滚筒支撑基带，减少了系统摩擦力，从而增加绕带次数增加镀膜面积，提高镀膜效率；

系统实现往复运动，只需在一个腔体增加阴极就可实现多种膜层的镀膜，相对连体机减少了空间，同时不牺牲各个隔离层的效率，由于各个阴极分时工作，所有电源可共用；不同阴极在一个腔体机密排列，共用抽空系统减少了系统器件，从而降低了设备成本。

2.根据权利要求1所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，在两个所述滚轮的外侧分别设有镀膜过渡轮。

3.根据权利要求1所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，所述镀膜组件包括第一镀膜单元及第二镀膜单元，所述第一镀膜单元及所述第二镀膜单元与电源电连接；其中

所述第一镀膜单元及所述第二镀膜单元的位置分别与所述滚筒的位置相对应。

4.根据权利要求3所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，所述第一镀膜单元包括至少一个第一隔离层阴极；所述第二镀膜单元包括至少一个第二隔离层阴极。

5.根据权利要求3所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，所述电源为射频电源、直流电源或中频电源。

6.根据权利要求或4所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，所述第一隔离层阴极的靶材与所述第二隔离层阴极的靶材不同。

7.根据权利要求6所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构，其特征在于，所述第一隔离层阴极的靶材与所述第二隔离层阴极的靶材为金属靶材。

8.一种生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜装置，其特征在于，包括：

镀膜机构，所述镀膜机构为权利要求1～权利要求7任意一项所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜机构；

收放机构，两个所述收放机构分别设置在所述镀膜机构的两侧。

9.根据权利要求8所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜装置，其特征在于，所述收放机构包括收放带轮及收放过渡轮。

10.根据权利要求8所述的生长第二代高温超导带材阻挡层复合膜的镀膜装置，其特征在于，还包括真空腔，所述镀膜机构及所述收放机构设置在所述真空腔内。