[发明专利]磁阻随机存取存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻随机存取存储器件，包括：

在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层；

延伸穿过所述单元区域的所述第一层间绝缘层的下电极接触部；

在每个所述下电极接触部上的第一结构，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极；以及

在所述单元区域和所述外围区域中覆盖所述第一层间绝缘层和所述第一结构的表面的覆盖层，

其中所述外围区域中所述第一层间绝缘层上的所述覆盖层的上表面高于所述单元区域中所述第一结构之间的所述第一层间绝缘层上的所述覆盖层的上表面。

2.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述外围区域中所述第一层间绝缘层的上表面高于所述单元区域中所述第一结构之间的所述第一层间绝缘层的上表面。

3.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述单元区域中所述第一结构之间的所述第一层间绝缘层的上表面低于所述下电极接触部的上表面。

4.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述外围区域中所述第一层间绝缘层的上表面与所述下电极接触部的上表面共面或低于所述下电极接触部的上表面。

5.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述外围区域中所述第一层间绝缘层的上表面是基本平坦的。

6.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述覆盖层在所述单元区域和所述外围区域中在所述第一层间绝缘层和所述第一结构的表面上共形，使得所述覆盖层具有均匀的厚度。

7.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述覆盖层包括氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求1所述的磁阻随机存取存储器件，进一步包括：

在所述单元区域和所述外围区域中在所述覆盖层上的第二层间绝缘层，以填充所述第一结构之间的间隙；以及

在所述外围区域中延伸穿过所述第二层间绝缘层、所述覆盖层和所述第一层间绝缘层的通孔接触部。

9.根据权利要求8所述的磁阻随机存取存储器件，进一步包括：在所述衬底上的下布线和下层间绝缘层，所述通孔接触部与所述下布线电连接。

10.一种磁阻随机存取存储器件，包括：

在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层；

延伸穿过所述单元区域的所述第一层间绝缘层的下电极接触部；以及

在每个所述下电极接触部上的第一结构，所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极，

其中所述外围区域中所述第一层间绝缘层的上表面高于所述单元区域中所述第一结构之间的所述第一层间绝缘层的上表面。

11.根据权利要求10所述的磁阻随机存取存储器件，进一步包括在所述单元区域和所述外围区域中覆盖所述第一层间绝缘层和所述第一结构的表面的覆盖层。

12.根据权利要求11所述的磁阻随机存取存储器件，其中所述单元区域中所述第一结构之间的所述第一层间绝缘层的上表面低于所述下电极接触部的上表面。

13.根据权利要求11所述的磁阻随机存取存储器件，进一步包括：

在所述单元区域和所述外围区域中在所述覆盖层上的第二层间绝缘层，以填充所述第一结构之间的间隙；以及

在所述外围区域中延伸穿过所述第二层间绝缘层、所述覆盖层和所述第一层间绝缘层的通孔接触部。

14.根据权利要求13所述的磁阻随机存取存储器件，进一步包括在所述第二层间绝缘层中的位线，所述位线接触所述第一结构的所述上电极。