[发明专利]掩膜板、掩膜装置及其应用方法在审
申请号: | 201910540107.8 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110241384A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 肖世艳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/34;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 掩膜装置 遮挡区 基板表面 成膜 基板 应用 基板上表面 二次沉积 基板成膜 通孔周边 同一基板 同一位置 显示面板 有机材料 均匀性 开孔区 开口区 遮光区 子像素 对位 附膜 隔线 混色 开孔 色偏 涂覆 预设 投影 | ||
1.一种掩膜板,用于基板成膜,其特征在于,
所述基板包括一预设的开孔区,
所述掩膜板被一分隔线分为遮光区和开口区两部分;所述掩膜板包括一遮挡区,突出于所述遮光区的一侧边,该侧边在所述分隔线处连接至所述开口区,当所述掩膜板与所述基板被对位设置时,
所述遮挡区在所述基板表面的投影位于所述开孔区内。
2.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,
所述遮挡区为半圆形,所述开孔区为圆形,所述遮挡区的半径与所述开孔区的半径相同。
3.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,
所述基板包括一基板分隔线,与所述分隔线在所述基板表面的投影部分地重合。
4.如权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,
所述掩膜板为矩形或圆角矩形;和/或,
所述分隔线的两端分别设于所述掩膜板两条相邻的侧边上;
所述分隔线与所述掩膜板两条相邻侧边分别形成一夹角,所述夹角的角度为40°~50°。
5.一种掩膜装置,包括
两个如权利要求1-4中任一项所述的掩膜板,分别为第一掩膜板及第二掩膜板;
其中,所述第一掩膜板被第一分隔线分为第一遮光区和第一开口区;
所述第二掩膜板被第二分隔线分为第二遮光区和第二开口区;
所述第一掩膜板的尺寸与第二掩膜板的尺寸相同;
所述第一分隔线在所述基板表面的投影,与所述第二分隔线在所述基板表面的投影部分地重合。
6.如权利要求5所述的掩膜装置,其特征在于,
所述第一分隔线包括第一直线部和第一弧线部;
所述第二分隔线包括第二直线部和第二弧线部;
所述第一直线部在所述基板表面的投影,与所述第二直线部在所述基板表面的投影重合;
所述第一弧线部在所述基板表面的投影,与所述第二弧线部在所述基板表面的投影围成一圆形,与所述开孔区的边际线重合。
7.一种掩膜装置的应用方法,其特征在于,包括如下步骤:
基板设置步骤,将一基板放置一蒸镀腔体内,所述基板包括一预设的开孔区;
第一对位步骤,将所述基板与第一掩膜板进行第一对位处理;
第一沉积步骤,在所述基板一侧表面沉积有机材料,形成一第一膜层,所述第一膜层具有第一缺口;
第二对位处理,将所述基板与第二掩膜板进行第二对位处理;以及
第二沉积步骤,在所述基板一侧表面沉积有机材料,形成一第二膜层,连接至所述第一膜层;所述第二膜层具有第二缺口;
其中,所述第一缺口和所述第二缺口在所述基板表面围成一通孔,与所述开孔区相对设置。
8.如权利要求7所述的掩膜装置的应用方法,其特征在于,
在所述第一沉积步骤中,
在真空蒸镀的环境下,对所述基板沉积有机材料,在所述基板表面形成所述第一膜层;
在所述第二沉积步骤中,
在真空蒸镀的环境下,对所述基板沉积有机材料,在所述基板表面形成所述第二膜层。
9.如权利要求7所述的掩膜装置的应用方法,其特征在于,
所述基板包括一基板分隔线;
所述第一膜层与所述第二膜层的连接处与所述基板分隔线相对设置。
10.如权利要求9所述的掩膜装置的应用方法,其特征在于,
所述第一膜层包括两个以上第一像素;
所述第二膜层包括两个以上第二像素;
所述第一像素、所述第二像素被排列为矩阵;
所述第一像素、所述第二像素分别位于所述基板分隔线的两侧。
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