[发明专利]一种低像差模式电极液晶透镜在审
| 申请号： | 201910540493.0 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110275363A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 于涛;肖奇;巩伟星;王伟郅;张嘉伦 | 申请（专利权）人： | 大连海事大学 |
| 主分类号： | G02F1/29 | 分类号： | G02F1/29;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 | 代理人： | 杨威;张海燕 |
| 地址： | 116000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高电阻层 圆形图案 电极 液晶透镜 像差 第一电极 模式电极 配向层 梯度折射率 掺杂离子 成像效果 第二电极 第二基板 第一基板 线性变化 依次布置 衬垫层 光程差 液晶层 递增 | ||
1.一种低像差模式电极液晶透镜，包括依次布置第一基板、第一电极层、高电阻层、第一配向层、液晶层、衬垫层、第二配向层、第二电极层、第二基板，所述第一电极层上设有圆形图案电极；其特征在于：
与所述圆形图案电极对应的所述高电阻层的方阻值由所述圆形图案电极的中心向边缘递增。
2.根据权利要求1所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述高电阻层的厚度由中心向边缘逐渐减小，使得所述高电阻层的方阻值由所述圆形图案电极的中心向边缘递增。
3.根据权利要求1所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述高电阻层的厚度不变，所述高电阻层中掺杂离子的浓度由中心向边缘逐渐减小，使得所述高电阻层的方阻值由所述圆形图案电极的中心向边缘递增。
4.根据权利要求1所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述高电阻层的厚度由中心向边缘逐渐减小，所述高电阻层中掺杂离子的浓度由中心向边缘逐渐减小，使得所述高电阻层的方阻值由中心向边缘递增。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述高电阻层的方阻值由中心向边缘线性递增。
6.根据权利要求5所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述衬垫层固定在所述液晶层的外围。
7.根据权利要求6所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述圆形图案电极为圆孔或者同轴多圆环或者同轴圆盘和圆环。
8.根据权利要求7所述的低像差模式电极液晶透镜，其特征在于：所述第一配向层与所述第二配向层的摩擦方向平行或者反平行，使所述液晶层的液晶分子呈展曲排列状态、弯曲排列状态或者平行排列状态。
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