[发明专利]一种带有沟槽电极的高压二极管在审
| 申请号： | 201910540911.6 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110137268A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压二极管 沟槽电极 反向击穿电压 肖特基接触 产品成本 阳极 沟槽侧壁 沟槽结构 正向导通 漏电流 源区 引入 保证 | ||
1.一种带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，包括：
底部电极层（001），重掺杂第一导电类型半导体材料层（002），轻掺杂第一导电类型半导体材料层（003），从表面伸入轻掺杂的第一导电类型半导体材料层（003）的沟槽结构（004）；
所述沟槽结构（004）的侧壁处，设有顶部电极层（005）与轻掺杂第一导电类型半导体材料层（003）的接触界面；
所述沟槽结构（004）的底部设有第二导电类型注入区（006）。
2.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述的半导体材料为硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝、金刚石之中的至少一种或者几种组成。
3.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述的顶部电极层（005）由Ti、Ni、Mo、Pt、Si、Ge、Al、TiN、W、TiW、Au之中的至少一种组成。
4.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述的钝化层由绝缘材料组成，至少包含聚酰亚胺、二氧化硅、氮化硅、掺杂或者不掺杂的硅玻璃之中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述的顶部电极层（005）与轻掺杂第一导电类型半导体材料层（003）的接触界面具有高度大于0.3eV的第一导电类型载流子势垒。
6. 根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述沟槽结构（004）伸入轻掺杂的第一导电类型半导体材料层（003）的深度在0.1~5um，其侧壁与底部平面形成的夹角为85°到135 °，所述沟槽结构（004）底部的第二导电类型注入区（006）深度为0.1um~2um。
7.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
8.根据权利要求1所述的带有沟槽电极的高压二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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