[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，在第1导电型的第1半导体层的一个表面形成栅极绝缘膜；

第2工序，在所述第1半导体层的所述一个表面的表面层形成第2导电型的第2半导体层；

第3工序，在所述栅极绝缘膜上选择性地形成栅电极；

第4工序，选择性地除去所述栅极绝缘膜；

第5工序，通过在氧气氛中进行热处理，从而在所述第2半导体层的表面形成热氧化膜；

第6工序，在所述第2半导体层的表面层选择性地形成第1导电型的第3半导体层；

第7工序，在所述热氧化膜上形成层间绝缘膜；

第8工序，将所述热氧化膜和所述层间绝缘膜选择性地开口而形成接触孔；

第9工序，在所述接触孔中形成覆盖所述接触孔的势垒金属；

第10工序，通过使用了金属卤化物的CVD法在所述势垒金属内埋入金属插塞；以及

第11工序，形成介由所述势垒金属和所述金属插塞而与所述第3半导体层和所述第2半导体层电连接的第1电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第1工序之前包括在所述第1半导体层的所述一个表面形成沟槽的第12工序，

在所述第1工序中，在所述第1半导体层的所述一个表面和所述沟槽内形成栅极绝缘膜，

在所述第3工序中，在所述沟槽内形成栅电极，

在所述第4工序中，选择性地除去所述第1半导体层的所述一个表面的所述栅极绝缘膜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行所述第3工序之后紧接着进行所述第6工序或在进行所述第5工序之后紧接着进行所述第6工序。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第5工序中，将所述热氧化膜形成得比所述栅极绝缘膜薄。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第7工序中，利用HTO膜、BPSG膜或者HTO膜与BPSG膜的层叠结构形成所述层间绝缘膜。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第10工序中，通过使用了WF₆、WCl₆、MoF₆、MoCl₆中的至少一个金属卤化物的CVD法在所述势垒金属内埋入金属插塞。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第5工序中的所述热氧化膜的膜厚为200nm以下，

所述第6工序中的所述第3半导体层是通过注入磷(P)而形成的。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第5工序中的所述热氧化膜的膜厚为50nm以下，

所述第6工序中的所述第3半导体层是通过注入砷(As)而形成的。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：

第13工序，在所述第1半导体层的与所述一个表面不同的另一个表面形成第2导电型的第4半导体层；以及

第14工序，形成与所述第4半导体层电连接的第2电极。