[发明专利]曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质

权利要求书

1.一种使半导体结构曝光的方法，所述方法包括：

向光刻设备提供半导体结构，半导体结构包括晶圆、第一层、第二层和光致抗蚀剂材料层，第一层布置在晶圆上并且包括多个对准标记和多个套准标记，第二层布置在第一层上，光致抗蚀剂材料层布置在第二层上；

通过使用具有不同波长的多个光来识别所述多个对准标记的位置；

获得多个模型函数，所述多个模型函数均表示所述多个对准标记的设计位置与所述多个对准标记的由所述多个光识别的位置之间的差异；

通过使用所述多个模型函数当中的第一模型函数使光致抗蚀剂材料层曝光来形成包括多个套准标记模具的光致抗蚀剂图案；

测量套准误差，套准误差表示所述多个套准标记与所述多个套准标记模具之间的未对准；

通过使用权重函数对所述多个模型函数进行组合来获得组合模型函数，

其中，所述多个模型函数中的每个模型函数包括基函数，并且

其中，权重函数针对所述多个模型函数中的每个模型函数的每个基函数分配不同的权重。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

通过使用套准误差和第一模型函数来获得第一层的任意元件的真实位置。

3.如权利要求2所述的方法，其中，将半导体结构以多个数量提供给光刻设备，并且

将权重函数确定为使得组合套准误差的变化具有最小值，组合套准误差表示所述任意元件的由组合模型函数确定的位置与所述任意元件的真实位置之间的差异。

4.如权利要求3所述的方法，其中，基于迭代或偏最小二乘法来确定权重函数。

5.如权利要求2所述的方法，其中，将半导体结构以多个数量提供给光刻设备，并且

将权重函数确定为使得组合套准误差的平均值具有最小值，组合套准误差表示所述任意元件的由组合模型函数确定的位置与所述任意元件的真实位置之间的差异。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个模型函数具有针对晶圆上的多个位置的值。

7.如权利要求6所述的方法，其中，获得所述多个模型函数的步骤包括在通过使用所述多个光识别所述多个对准标记的位置的步骤之后，获得基函数的组合，使得基于基函数的组合来拟合所述多个对准标记的识别位置与设计位置之间的差异。

8.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在测量套准误差的步骤之后，获得套准函数，套准函数是套准误差相对于晶圆上的任意水平位置的函数。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，获得套准函数的步骤包括：获得基函数的组合，以基于获得的基函数的组合来拟合套准误差。

10.一种使半导体结构曝光的方法，所述方法包括：

向光刻设备提供第一半导体结构，第一半导体结构包括第一晶圆、第一层、第二层和第一光致抗蚀剂材料层，第一晶圆具有在第一方向和第二方向上延伸的上表面，第一层布置在第一晶圆上并且包括多个第一对准标记和多个第一套准标记，第二层布置在第一层上，第一光致抗蚀剂材料层布置在第二层上；

获得第一模型函数和第二模型函数，第一模型函数和第二模型函数均表示所述多个第一对准标记的设计位置与所述多个第一对准标记的由第一光和第二光识别的位置之间的差异，其中，第一模型函数和第二模型函数中的每个是基函数的线性组合；

通过使用第一模型函数使第一光致抗蚀剂材料层曝光来形成包括多个第一套准标记模具的第一光致抗蚀剂图案；

测量套准误差，套准误差表示所述多个第一套准标记与所述多个第一套准标记模具之间的未对准；

获得权重函数，权重函数通过针对第一模型函数和第二模型函数各自的每个基函数分配不同的权重来对第一模型函数和第二模型函数进行组合以提供第一组合模型函数；以及

使用权重函数来使第二半导体结构曝光，第二半导体结构被设计成与第一半导体结构相同。