[发明专利]一种多量子阱结构、LED外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种多量子阱结构，其特征在于，为9层的上下层叠加结构，9层按照从下往上的顺序依次生长；

第一层为GaN势垒层，第二层为AlGaN势垒层，第三层为GaN势垒层，第四层为InGaN势阱层，第五层为低温InGaN势阱层，第六层为InGaN势阱层，第七层为GaN势垒层，第八层为AlGaN势垒层，第九层为GaN势垒层；

第一层、第二层、第三层、第四层、第五层、第六层、第七层、第八层、第九层按照从下到上的顺序依次层叠布置。

2.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底、N型层、5～9个多量子阱结构以及P型层，5～9个多量子阱结构中的每一个多量子阱结构均为权利要求1所述的多量子阱结构；

5～9个多量子阱结构按照从下到上的顺序依次层叠布置；

所述衬底、N型层、5～9个多量子阱结构、P型层按照从下到上的顺序依次层叠布置。

3.一种权利要求2所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下依次进行的步骤：

1)在衬底上生长N型层结构；

2)在N型层的上表面上，生长多量子阱结构；

所述多量子阱结构的制备方法包括以下依次进行的步骤：

a)在N型层的上表面上生长第一层，第一层为GaN势垒层；

b)在第一层的上表面上生长第二层，第二层为AlGaN势垒层；

c)在第二层的上表面上生长第三层，第三层为GaN势垒层；

d)在第三层的上表面上生长第四层，第四层为InGaN势阱层；

e)在第四层的上表面上生长第五层，第五层为低温InGaN势阱层；

f)在第五层的上表面上生长第六层，第六层为InGaN势阱层；

g)在第六层的上表面上生长第七层，第七层为GaN势垒层；

h)在第七层的上表面上生长第八层，第八层为AlGaN势垒层；

i)在第八层的上表面上生长第九层，第九层为GaN势垒层；

3)继续重复生长步骤2)制得的多量子阱结构，重复生长直至多量子阱结构的总个数为5-9个；

4)在步骤3)制得的最上层的多量子阱结构的上表面上生长P型层，完成后制得LED外延片。

4.根据权利要求3所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述N型层为N型GaN层；步骤4)中，所述P型层为P型GaN层。

5.根据权利要求3所述的LED外延片的制备方法，其特征在于，GaN势垒层的制备方法为：在气氛为氮气的反应室内、生长温度为750-850℃、压力为200-300mbar的环境下，使用三乙基镓与硅烷，生长厚度为2.5-4.5nm的GaN势垒层，其中硅掺杂浓度为5E17-5E18atom/cm³。