[发明专利]NAND存储器的字线制作方法及包括其制作的字线的NAND存储器

权利要求书

1.一种NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，包括：

S1：在待刻蚀层上沉积一层核心层，采用字线掩模版曝光显影，由光刻胶形成多个字线图形，多个字线图形形成字线图形区域，并在字线图形区域的两侧分别由光刻胶形成牺牲图形，并牺牲图形的宽度与字线图形的宽度相等，牺牲图形与字线图形的间距、牺牲图形之间的间距以及字线图形之间的间距相等；

S2：以步骤S1中的光刻胶为掩蔽膜进行核心层刻蚀，去除剩余光刻胶，形成字线核心层图形和牺牲核心层图形；

S3：通过微缩工艺将字线核心层图形和牺牲核心层图形进行微缩；

S4：进行侧墙沉积工艺，然后进行侧墙刻蚀工艺使字线核心层图形和牺牲核心层图形的两侧形成字线核心层图形侧墙和牺牲核心层图形侧墙；

S5：去除核心层，形成字线侧墙和牺牲侧墙；以及

S6：采用选择管掩模版曝光显影，使选择管光刻胶覆盖至少部分牺牲侧墙，然后，以选择管光刻胶和侧墙为掩蔽层，同时刻蚀待刻蚀层，以形成选择管和字线。

2.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S1中所述牺牲图形的个数为两根。

3.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S1中所述核心层的材料为氧化硅、氮化硅或者多晶硅。

4.根据权利要求1或3任一项所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，所述核心层采用低压化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积的方式沉积形成。

5.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S2中采用干法刻蚀工艺进行所述核心层刻蚀。

6.根据权利要求2所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S2中形成两根牺牲核心层图形。

7.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S3中采用湿法刻蚀工艺进行所述微缩工艺。

8.根据权利要求1或7任一项所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，通过所述微缩工艺将所述字线核心层图形和所述牺牲核心层图形的宽度缩小一半。

9.根据权利要求3所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S4中所述侧墙的材料为氧化硅，氮化硅或者多晶硅，但与所述核心层的材料不同。

10.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S4中所述侧墙采用低压化学气相沉积或者低温原子层沉积的方式沉积形成。

11.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S4中所述侧墙刻蚀工艺刻蚀掉位于所述待刻蚀层上的所述字线核心层图形和所述牺牲核心层图形的两侧侧墙所需宽度以外以及所述字线核心层图形和所述牺牲核心层图形上的通过侧墙沉积工艺沉积的材料。

12.根据权利要求11所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，所述侧墙所需宽度与预制作的字线的宽度相等。

13.根据权利要求1所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S5中采用湿法工艺去除所述核心层。

14.根据权利要求13所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，所述湿法工艺的湿法溶液为高选择比腐蚀剂。

15.根据权利要求6所述的NAND存储器的字线制作方法，其特征在于，步骤S5中形成的牺牲侧墙的个数为4根。