[发明专利]带隙基准电压源电路在审
| 申请号： | 201910541372.8 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110262606A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 朱敏;吴汉明;周航 | 申请（专利权）人： | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带隙基准电压源电路 电流输出端 三极管 核心电路 偏置电流生成电路 补偿电流生成 场效应管 电路 电路结构 电源电压 基准电压 器件成本 温度电压 输出 不敏感 叠加 | ||
1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于，包括核心电路和偏置电流生成电路，所述核心电路包括三极管，所述偏置电流生成电路包括与所述三极管对应的场效应管，所述带隙基准电压源电路还包括补偿电流生成电路，所述补偿电流生成电路包括与所述核心电路中不同三极管的基极分别相连的第一电流输出端和第二电流输出端，所述第一电流输出端输出的电流强度与所述第二电流输出端输出的电流强度之比为2：1。
2.如权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述补偿电流生成电路包括运算放大器、以及与所述运算放大器的输出端相连的两个场效应管。
3.如权利要求2所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述两个场效应管为PMOS管。
4.如权利要求2或3所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述核心电路包括第一三极管、第二三极管、以及第三三极管。
5.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述核心电路还包括一端与第二三极管的射极相连的第一电阻和一端与第三三极管的射极相连的第二电阻。
6.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述第一三极管、所述第二三极管和所述第三三极管为NPN管。
7.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述偏置电流生成电路包括与第一三极管对应的第一场效应管、与第二三极管对应的第二场效应管、以及与第三三极管对应的第三场效应管，第一场效应管的栅极、第二场效应管的栅极和第三场效应管的栅极连接并与第一场效应管的漏极连接。
8.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述运算放大器的反相输入端和正相输入端分别连接第一三极管的集电极和第二三极管的集电极。
9.如权利要求4所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述补偿电流生成电路中的所述两个场效应管的栅极均与所述运算放大器的输出端相连，其中一个场效应管的漏极作为所述第一电流输出端连接第一三极管的基极和第二三极管的基极，另一个场效应管的漏极作为所述第二电流输出端连接第三三极管的基极。
10.如权利要求9所述的带隙基准电压源电路，其特征在于，所述漏极作为所述第一电流输出端的场效应管和所述漏极作为所述第二电流输出端的场效应管的镜像之比为2：1。
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