[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201910541933.4 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110161766B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 纪佑旻;苏松宇;刘品妙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1345;G09G3/36 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
一种显示装置,其包括多个子像素。在每一个子像素中,第一驱动元件的栅极以及第二驱动元件的栅极分别电性连接第一控制线以及第二控制线,第一驱动元件的漏极电性连接第二驱动元件的源极、第一存储电容以及显示介质电容,且第二驱动元件的漏极电性连接第二存储电容。在第一模式下,第一驱动元件在第一扫描时间段与第一维持时间段分别处于开启和关闭状态,第二驱动元件一直处于关闭状态。在第二模式下,第一驱动元件在第二扫描时间段与第二维持时间段分别处于开启和关闭状态,第二驱动元件一直处于开启状态。
技术领域
本发明是有关于一种显示装置,且特别是有关于一种可切换模式的显示装置。
背景技术
手机及平板电脑等可携式显示装置的功耗(power consumption)会影响到使用时间的长短。因此,若能降低显示装置的功耗,便可延长显示装置的使用时间,并达到节能的效果。显示装置操作在低频时,可具有较低的功耗,但需要够大的存储电容来抑制漏电效应对显示品质所造成的负面影响,例如因漏电造成显示画面渐暗或闪烁(flicker)等现象。惟随着显示装置的解析度的提升,像素的面积变小,其存储电容也相对小,导致穿通(feedthrough)电压变大、串音(crosstalk)现象产生,甚至漏电效应的恶化。鉴于上述,如何增大存储电容并抑制漏电效应,便成为目前研发重点之一。
发明内容
本发明提供一种显示装置,其可增大存储电容并抑制漏电效应。
本发明的一实施例的一种显示装置包括多个子像素。每一个子像素包括第一控制线、第二控制线、第一驱动元件、第二驱动元件、第一存储电容、显示介质电容以及第二存储电容。第一驱动元件的栅极电性连接第一控制线。第一驱动元件的漏极电性连接第二驱动元件的源极、第一存储电容以及显示介质电容。第二驱动元件的栅极电性连接第二控制线。第二驱动元件的漏极电性连接第二存储电容。在第一模式下,第一驱动元件在第一扫描时间段处于开启状态且在第一维持时间段处于关闭状态,且第二驱动元件在第一扫描时间段以及第一维持时间段处于关闭状态。在第二模式下,第一驱动元件在第二扫描时间段处于开启状态且在第二维持时间段处于关闭状态,且第二驱动元件在第二扫描时间段以及第二维持时间段处于开启状态。
基于上述,在本发明的实施例中,显示装置可在多个模式(包括第一模式与第二模式)之间做切换。在第一模式下,第二驱动元件持续处于关闭状态,使子像素具有较小的存储电容,从而有助于改善充电率问题。在第二模式下,第二驱动元件持续处于开启状态,使子像素具有较大的存储电容,从而能有效抑制漏电效应对于显示品质的负面影响。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是本发明的实施例的显示装置的一个子像素的等效电路图(equivalentcircuit diagram)。
图2A及图2B分别是第一模式及第二模式的驱动波形图。
图3A是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第一种实施方式的局部上视示意图。
图3B是图3A中透光区以及非透光区的示意图。
图3C是图3A中剖线I-I’的剖面示意图。
图4是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第二种实施方式的局部上视示意图。
图5是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第三种实施方式的局部上视示意图。
图6A是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第四种实施方式的局部上视示意图。
图6B是图6A中剖线II-II’的剖面示意图。
图7及图8分别是本发明的实施例的显示装置的两种实施方式的上视示意图。
其中,附图标记:
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