[发明专利]承载装置及工艺腔室

说明书

本发明提供一种承载装置及工艺腔室，包括可升降的基座、至少三个可升降的顶针和托件，其中，基座能够上升至工艺位置或下降至传片位置，在其中设置有供顶针穿过且贯穿其厚度的通孔，托件的数量与通孔的数量相同，且一一对应的安装在各个通孔中，并能够相对基座升降，以在基座位于传片位置时，被顶针托起上升至第一位置，在第一位置时，托件的上表面高于基座的上表面，用于承载晶片；在基座自传片位置上升至工艺位置时，被基座托起上升至第二位置，在第二位置时，托件的上表面不高于基座的上表面。本发明提供的承载装置及工艺腔室，能够便于对托件进行拆装与维护，并能够减少基座的散热，提高晶片的加热均匀性，提高晶片的加工效果。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种承载装置及工艺腔室。

背景技术

目前，物理气相沉积(PVD)技术或溅射(Sputtering)沉积技术是半导体工业中广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺。在物理气相沉积设备中，晶片或者放置晶片的托盘通过机械手传输至工艺腔室后，通过顶针(PIN)的升降实现晶片或托盘与机械手的分离，便于机械手对晶片或托盘的取放(此位置即为传片位)，再配合加热基座的升降带动晶片或托盘在竖直方向上的升降，实现晶片或托盘与顶针的脱离，使晶片在工艺位置时能够置于加热基座上进行加工工艺。

如图1和图2所示，在现有技术中，加热基座11与工艺腔室12固定，并可在竖直方向上升降，三根顶针13分别一一对应穿过设置在加热基座11中的三个通孔14，三个通孔14沿加热基座11的周向均匀间隔分布，顶针13通过螺母15与支撑架16连接，支撑架16通过升降机构17固定在工艺腔室12内，升降机构17用于带动支撑架16及顶针13在竖直方向上升降，在进行晶片18传输时，安装有顶针13的支撑架16在升降机构17的带动下，运动至传片位，此时，顶针13的上表面高于加热基座11的上表面，机械手将晶片18传入工艺腔室12，并通过机械手的运动将晶片18放置在顶针13的上表面上，机械手随后退出工艺腔室12，在进行晶片18的加工工艺时，加热基座11首先上升至传片位，使晶片18与顶针13的上表面脱离，以托起晶片18，随后加热基座11与晶片18一起上升运动至工艺位置，进行加工工艺。

但是，在现有技术中，在安装顶针13和加热基座11的过程中，需先将顶针13安装在支撑架16上，再将加热基座11安装到腔室内，并在安装加热基座11时，要注意将设置在加热基座11中供顶针13穿过的多个通孔14与多个顶针13一一对应，当其中某一个或多个顶针13需要维护更换时，则需要将加热基座11整体拆除后，才能对顶针13进行拆卸维护，这就导致顶针13的拆装与维护极为不便，并且，为了避免由于加工精度和安装误差等因素，导致顶针13与通孔14在顶针13与加热基座11升降过程中发生干涉的问题，通常加热基座11中的通孔14的直径与顶针13的直径相比要大于6mm，以在通孔14与顶针13之间留有较大间隙，这就导致加热基座11托起晶片18进行加工工艺时，在通孔14与顶针13的较大间隙处出现温度较低的区域，导致加热基座11的散热加剧，影响加热基座11加热晶片18的均匀性，使晶片18的加工效果较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及工艺腔室，其能够便于对托件进行拆装与维护，并能够减少基座的散热，提高晶片的加热均匀性，提高晶片的加工效果。

为实现本发明的目的而提供一种承载装置，包括可升降的基座和至少三个可升降的顶针，所述基座能够上升至工艺位置或下降至传片位置，且在所述基座中设置有供所述顶针穿过且贯穿其厚度的通孔，且所述通孔与所述顶针一一对应设置，所述承载装置还包括托件，所述托件的数量与所述通孔的数量相同，且一一对应的安装在各个所述通孔中，并且所述托件能够相对于所述基座升降，以在所述基座位于所述传片位置时，能够被所述顶针托起并上升至第一位置，且在所述第一位置时，所述托件的上表面高于所述基座的上表面，用于承载晶片；在所述基座自所述传片位置上升至所述工艺位置时，能够被所述基座托起并上升至第二位置，且在所述第二位置时，所述托件的上表面不高于所述基座的上表面。