[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201910542067.0 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110137187A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 纪佑旻;苏松宇;刘品妙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏极 电容电极 共用电极 像素电极 主驱动元件 电性连接 显示装置 副驱动 子像素 源极 第一数据 主沟道层 钝化层 副电容 副沟道 副栅极 扫描线 主电容 主栅极 基板 主源 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
一基板;
一第一数据线以及一扫描线,位于该基板上;
一第一子像素,位于该基板上,其中该第一子像素包括一第一主驱动元件、一第一副驱动元件、一第一电容电极以及一第一像素电极,其中
该第一主驱动元件,包括:
一第一主栅极,电性连接该扫描线;
一第一主沟道层,重叠于该第一主栅极;以及
一第一主源极与一第一主漏极,电性连接该第一主沟道层,其中该第一主源极电性连接该第一数据线;
该第一副驱动元件,包括:
一第一副栅极,电性连接该扫描线;
一第一副沟道层,重叠于该第一副栅极;
一第一副源极与一第一副漏极,电性连接该第一副沟道层,其中该第一主漏极电性连接该第一副源极,该第一电容电极电性连接该第一主漏极以及该第一副源极,且该第一像素电极电性连接该第一副漏极;
一钝化层,位于该第一主源极、该第一主漏极、该第一副源极以及该第一副漏极上,其中该第一电容电极以及该第一像素电极位于该钝化层上;以及
一共用电极,重叠于该第一电容电极以及该第一像素电极,其中该共用电极与该第一电容电极之间具有一第一主电容,该共用电极与该第一像素电极之间具有一第一副电容,且该第一电容电极、该第一像素电极以及该共用电极的材料包括透明导电材料。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中部分该第一电容电极平行于该扫描线。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该第一电容电极与该第一像素电极位于该扫描线的同一侧。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该第一电容电极与该第一像素电极位于该扫描线的不同侧。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,其中该第一主电容的电容值为M1,该第一副电容的电容值为S1,10%的S1<M1≤60%的S1。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,更包括:
一第二数据线以及一第三数据线,位于该基板上;
一第二子像素以及一第三子像素,位于该基板上,其中该第二子像素包括:
一第二主驱动元件以及一第二副驱动元件,其中该第二主驱动元件的一第二主源极电性连接该第二数据线,且该第二主驱动元件的一第二主漏极电性连接该第二副驱动元件一第二副源极;
一第二电容电极,电性连接该第二主漏极以及该第二副源极;
一第二像素电极,电性连接该第二副漏极,其中该共用电极与该第二电容电极之间具有一第二主电容,该共用电极与该第二像素电极之间具有一第二副电容;
该第三子像素包括:
一第三主驱动元件以及一第三副驱动元件,其中该第三主驱动元件的一第三主源极电性连接该第三数据线,且该第三主驱动元件的一第三主漏极电性连接该第三副驱动元件一第三副源极;
一第三电容电极,电性连接该第三主漏极以及该第三副源极;以及
一第三像素电极,电性连接该第三副漏极,其中该共用电极与该第三电容电极之间具有一第三主电容,该共用电极与该第二像素电极之间具有一第三副电容,该第一主电容的电容值为M1,该第二主电容的电容值为M2,该第三主电容的电容值为M3,且M1不等于M2与M3。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,其中该第一子像素为一红色子像素,该第二子像素为一绿色子像素,该第三子像素为一蓝色子像素,该第一副电容的电容值为S1,该第二副电容的电容值为S2,该第三副电容的电容值为S3,其中
12%的S1<M1≤50%的S1,
12%的S2<M2≤50%的S2,且
10%的S3<M3<40%的S3。
8.如权利要求7所述的显示装置,其特征在于,其中M3小于M1以及M2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的